El material de heterojunción de nitruro de galio posee excelentes características como ancho de banda prohibido amplio, alta intensidad de campo de ruptura, alta velocidad de saturación electrónica, etc., siendo el material ideal para fabricar dispositivos de microondas de gran potencia. Diodo de microondas de nitruro de galio (GaN SBD) El diodo de microondas de nitruro de galio es el dispositivo central en circuitos de microondas como rectificación, limitación, detección, conmutación, etc. Los diodos de microondas de gran potencia son dispositivos centrales urgentemente necesarios para rectificadores en el extremo receptor de transmisión de energía de microondas, limitadores resistentes a daños de microondas de gran potencia, etc. El semiconductor de banda prohibida amplia de nitruro de galio tiene ventajas únicas en microondas de gran potencia. Áreas de aplicación

Dispositivos receptores de microondas y milimétricas, ampliamente utilizados en comunicación, radar, navegación, guerra electrónica, tecnología espacial, medición y control, aeroespacial, entre otros campos.

Mezcladores, ampliamente utilizados en ingeniería de comunicación móvil de corto alcance en áreas de producción, seguridad y proyectos de campo.

Detectores, ampliamente aplicados en analizadores de red escalares, redes de seis puertos, receptores instantáneos de microondas, etc.

Limitadores, ampliamente aplicados en módulos centrales de comunicación de radar.