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Material de la matriz |
Tabletas de silicio monocristalino dopado con fósforo tipo N |
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Espesor |
130 ± 10% μm |
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Tamaño |
210mm * 210mm ± 0.25mm,φ295mm ± 0.25mm |
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Frente |
18 líneas de rejilla principales, 188 ± 10% líneas de rejilla secundaria, película antirreflectante azul (nitruro de silicio) |
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Reverso |
18 líneas de rejilla principales, 192 ± 10% líneas de rejilla auxiliares, película antirreflectante azul (nitruro de silicio) |
1/1
Tipo N TOPCon batería de doble cara HG210N
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China
Edificio 72, Parque Industrial Jinrun, Comunidad de Alta Tecnología Gaochang, Pueblo Gaochang, Distrito Xuzhou, Ciudad de Yibin, Provincia de Sichuan
13925933306
13925933306
lianxy@sunsyncgroup.com
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