es.wedoany.com Noticia: Silvaco Group, Inc. y su división de soluciones SIP han anunciado la ampliación de su relación de colaboración estratégica con Advanced Power Electronics Corp. (APEC), desarrollador de dispositivos de potencia de silicio y carburo de silicio con sede en Taiwán, China. Las soluciones SIP de Silvaco, respaldadas por software de IA y tecnologías de automatización, brindan soporte para el diseño de semiconductores y el modelado de gemelos digitales. Esta extensión de la colaboración se centrará en el campo de los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC), integrando los recursos tecnológicos de ambas partes para mejorar la eficiencia en el desarrollo.

APEC ha realizado mejoras y expansiones significativas en sus tecnologías y flujos de diseño, planea adoptar más soluciones tecnológicas de Silvaco y se ha comprometido a desplegar a largo plazo las herramientas de simulación Victory Device 2D, Gateway y las soluciones SmartSpice. Con estas herramientas, APEC acelerará el desarrollo de dispositivos de potencia avanzados de carburo de silicio (SiC), optimizando al mismo tiempo el rendimiento de estos dispositivos y reduciendo el tiempo de comercialización. Los dispositivos de potencia de silicio y SiC de APEC se utilizan ampliamente en los sectores automotriz, industrial, de energías renovables y de electrónica de consumo. Las soluciones TCAD y EDA de Silvaco, con su capacidad de modelado complejo, pueden satisfacer las necesidades tecnológicas de APEC para el desarrollo de dispositivos de potencia de SiC en diversos escenarios.

La plataforma Victory TCAD de Silvaco ofrece una simulación integral de procesos y dispositivos para semiconductores de potencia, Gateway permite una integración perfecta entre TCAD y la simulación de circuitos, y SmartSpice proporciona simulaciones SPICE rápidas y precisas para la caracterización de dispositivos de potencia y el diseño de circuitos. Estas soluciones, en conjunto, ayudan a APEC en su trabajo de optimización conjunta de tecnología de diseño (DTCO), acelerando el desarrollo de la próxima generación de dispositivos de potencia de SiC con mayor rendimiento, fiabilidad y eficiencia, para mantener una ventaja competitiva en el mercado en rápido desarrollo de la electrónica de potencia.

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