es.wedoany.com Noticia: En la feria PCIM Europa 2026 celebrada en Núremberg, Alemania, varias empresas de electrónica de potencia, como Infineon, Mitsubishi Electric, Wolfspeed y Onsemi, presentaron sus módulos y soluciones de semiconductores de potencia de banda ancha de última generación, centrándose en mejorar la eficiencia de los vehículos eléctricos y los sistemas de energía renovable.
Infineon Technologies ha lanzado los controladores de puerta EiceDRIVER para los inversores de tracción de sus vehículos eléctricos puros. Los modelos EiceDRIVER 1EDI3040AS y 1EDI3041AS de esta serie admiten simultáneamente IGBT y SiC MOSFET, integrados en un único CI de control de puerta. Cuentan con una función de ajuste de corriente de puerta en tiempo real que permite equilibrar la velocidad de conmutación y la interferencia electromagnética (EMI), reduciendo las pérdidas de energía de encendido y apagado mediante un control preciso del proceso de conmutación. Además, este CI gestiona la tasa de variación de la corriente de apagado para suprimir los picos de tensión destructivos causados por la inductancia parásita, eliminando así la necesidad de circuitos de amortiguación externos voluminosos.
Mitsubishi Electric y Semikron Danfoss han desarrollado conjuntamente un encapsulado de módulo de potencia estandarizado que utiliza una topología de circuito T de tres niveles integrada. Este encapsulado combina la disposición LV100 de Mitsubishi Electric con la geometría SEMITRANS20 de Semikron Danfoss, logrando compatibilidad física del producto y permitiendo a los fabricantes unificar y estandarizar la arquitectura física del inversor. La topología de circuito de tres niveles conmuta la corriente continua entre tres niveles de potencial diferentes, generando una forma de onda de salida más cercana a una onda sinusoidal pura, lo que mejora la eficiencia de conversión, reduce las pérdidas de potencia y disminuye el tamaño de los componentes periféricos de filtrado y control.
El Instituto Fraunhofer de Física del Estado Sólido Aplicada (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF) presentó un convertidor de carga bidireccional monofásico compacto para vehículos eléctricos, que utiliza un dispositivo de potencia GaN monolítico de 1200 V. El sistema funciona a una alta frecuencia de conmutación de 140 kHz, minimizando el volumen de los componentes de filtrado pasivos. El demostrador completo (incluyendo el conector) tiene unas dimensiones de 8,3 litros y un peso de 5,7 kg. La arquitectura integra directamente el diodo de rueda libre en el chip GaN de 1200 V, eliminando los diodos antiparalelos externos estándar y limitando la inductancia de bucle parásita. Este cargador fuera de a bordo de 3 kW, desarrollado en el marco del proyecto GaN4EmoBiL, tiene como objetivo llenar el vacío en las topologías bidireccionales de 800 V, pudiendo manejar un amplio rango de tensión de batería de 150 V a 920 V.
Wolfspeed ha lanzado su tecnología de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de quinta generación para aplicaciones automotrices e industriales de 1200 V y 750 V. En comparación con las alternativas comerciales actuales de 1200 V, su resistencia específica de encendido (RSP) se ha reducido en un 27%. A 175 °C, la RSP a nivel de chip para el nodo de 1200 V (QEM50120-25D10) es de 3,4 mΩ-cm², y para el nodo de 750 V (QEM50075-025D10) es de 2,0 mΩ-cm². Esta tecnología limita la distribución de RDS(ON) en ambos nodos de tensión a un rango de ±18%.
Efficient Power Conversion (EPC) anunció el inicio de la producción en serie de su transistor de potencia eGaN EPC2378 de 25 V, optimizado para aplicaciones de rectificación síncrona en el lado secundario de convertidores LLC de 48 V a 5 V o 12 V. El dispositivo presenta una RDSon típica de 410 µΩ y un bajo factor de mérito de carga de puerta, pudiendo manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 101 A. Viene en un encapsulado PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm, equipado con una almohadilla térmica trasera para mejorar la disipación de calor. Para acelerar la evaluación del sistema, EPC también lanzó la placa de desarrollo EPC90185 complementaria.
Onsemi presentó su cartera de potencia GaNEXUS GaN, ofreciendo inicialmente muestras de componentes discretos que cubren un rango de tensión de ruptura de 40 V a 650 V. La serie incluye dispositivos inteligentes GaNEXUS de 650 V, que integran circuitos de protección para simplificar el diseño. Esta cartera está diseñada para centros de datos de IA e infraestructura de energía industrial, pudiendo mejorar la eficiencia entre un 0,5% y un 2%, y aumentar la densidad de potencia volumétrica entre 1,5 y 2 veces, según la topología del circuito. La alta velocidad de conmutación permite reducir el tamaño de los componentes magnéticos entre un 30% y un 60%. Estos componentes están disponibles en encapsulados TOLL, TOLT y de doble refrigeración, y pueden interactuar con la plataforma de control Treo de Onsemi.
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