es.wedoany.com Noticia: La empresa de semiconductores SK Hynix anunció el 18 de junio que ha entregado con antelación a los clientes muestras del producto HBM4E de 12 capas, una memoria de alto ancho de banda (HBM) de séptima generación que utiliza la sexta generación de DRAM 1c de 10 nanómetros.
SK Hynix indicó que la experiencia en producción y suministro de HBM3, HBM3E y HBM4 ha sentado las bases para acelerar el desarrollo de nuevos productos. La empresa colaborará estrechamente con clientes clave para garantizar la producción en masa a tiempo, con el fin de resolver los cuellos de botella de datos en los sistemas de IA. Esta entrega de muestras se adelanta al plan presentado por la empresa durante la conferencia telefónica de resultados del primer trimestre de abril de este año, donde se indicó que las muestras de HBM4E se proporcionarían en el segundo semestre del año.
El HBM4E mejora el rendimiento y la eficiencia energética en comparación con la generación anterior HBM4, principalmente mediante la mejora del núcleo de la DRAM, la arquitectura de interfaz y el proceso de fabricación. Este producto aplica por primera vez la sexta generación de DRAM 1c de 10 nanómetros en HBM, mientras que las generaciones anteriores (incluido HBM4) utilizaban la quinta generación de DRAM 1b. La capacidad de cada núcleo de matriz ha aumentado, utilizando matrices DRAM de 32 Gb (4 GB), lo que supone un incremento del 50 % en densidad respecto al HBM4. La pila de 12 capas ofrece una capacidad total de memoria de 48 GB, mientras que la pila de 12 capas de HBM4 con matrices de 24 Gb (3 GB) tiene una capacidad de 36 GB.
El número de pines de entrada/salida (E/S) se mantiene en 2048, pero la velocidad de transferencia de datos por pin alcanza los 16 Gbps, lo que supone un aumento de hasta el 45 % respecto al rango anterior de 11 Gbps a 13 Gbps. Una sola pila puede proporcionar un ancho de banda de aproximadamente 4 TB/s, que según estimaciones del sector es entre un 40 % y un 50 % superior al del HBM4. La eficiencia energética también mejora en más de un 20 %, lo que contribuye a potenciar el rendimiento de las cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de IA.
SK Hynix afirmó que el HBM4E reduce la latencia de transferencia de datos mediante una interfaz actualizada y optimizaciones de diseño, manteniendo un funcionamiento estable en entornos informáticos de alto ancho de banda. Se espera que este producto mejore la eficiencia de procesamiento de los centros de datos de IA de próxima generación y los sistemas informáticos a gran escala. La empresa no reveló las especificaciones de la matriz base, pero fuentes del sector creen que SK Hynix está utilizando el proceso de 3 nanómetros de TSMC para fabricar la matriz base del HBM4E, con el fin de mejorar el rendimiento y la eficiencia energética, mientras que las generaciones anteriores de matrices base se fabricaban con el proceso de 12 nm de TSMC. La matriz base actúa como capa de control del HBM, encargándose de las operaciones de lectura y escritura de datos, corrección de errores y otras funciones que afectan al rendimiento y la fiabilidad.
El HBM4E utiliza un avanzado proceso de encapsulado MR-MUF (moldeo por reflujo en masa y relleno inferior) para apilar 12 capas, empleando un material de moldeo epoxi (EMC) con propiedades térmicas mejoradas como adhesivo entre las matrices DRAM. Este material se adhiere primero mediante un proceso de reflujo a alta temperatura y luego se monta finalmente utilizando el calor y la presión de un sistema de unión por termocompresión. SK Hynix indicó que, en comparación con el HBM4, la optimización del proceso MR-MUF mejora la estabilidad estructural y reduce la resistencia térmica en aproximadamente un 17 %, lo que permite un funcionamiento más fiable en entornos informáticos de alto rendimiento.
El presidente y director de desarrollo (CDO) de SK Hynix, Ahn Hyun, declaró: "El HBM4E combina la experiencia técnica acumulada y la capacidad de fabricación de SK Hynix, sentando las bases para seguir liderando la innovación en IA. Trabajaremos junto con nuestros socios para ofrecer activamente el valor que demanda el mercado y fortalecer nuestro liderazgo tecnológico como proveedor integral de memoria para IA".
Samsung Electronics también entregó muestras de HBM4E de 12 capas a los clientes el 29 de mayo. Este producto también se basa en DRAM 1c de 32 Gb, y la matriz lógica base se fabrica con el proceso de fundición de 4 nanómetros de Samsung. Samsung afirmó que el proceso ya ha alcanzado suficiente rendimiento y preparación para la producción, y comenzará la fabricación en masa según el cronograma del cliente. Con la aceleración de la demanda de memoria de IA de próxima generación, se espera que ambas empresas compitan activamente por los contratos de producción de HBM4E.
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