es.wedoany.com Noticia: SanDisk y Kioxia han comenzado a enviar muestras del chip de memoria flash 3D NAND de décima generación, el BiCS10. Este chip TLC de 1 Tb integra 332 capas de almacenamiento en un solo dado, logrando una densidad de bits de más de 29 Gb por milímetro cuadrado, lo que SanDisk califica como líder en la industria.
La densidad de bits del BiCS10 es un 59 % superior a la de la generación anterior, BiCS8, actualmente en producción en masa. El chip utiliza la arquitectura de unión directa de CMOS de SanDisk y cuenta con una nueva interfaz Toggle DDR6.0, que aumenta la velocidad de transferencia de datos a 4,8 Gb/s, un 33 % más rápida que la interfaz de la generación anterior. También se han logrado mejoras en eficiencia energética: el consumo de entrada se reduce un 10 % en comparación con el BiCS8, y el consumo de salida disminuye un 34 %.
SanDisk ya ha trazado una hoja de ruta en torno a este chip, con el objetivo de lanzar un SSD de 256 TB en 2026 y una unidad de 512 TB en 2027. La compañía también ha revelado planes para lanzar en el futuro una unidad de 1 PB para centros de datos, aunque aún no se ha determinado un año específico para su lanzamiento. Estos aumentos de capacidad dependen de la adopción de memoria QLC, y SanDisk planea migrar la mayoría de sus productos orientados a la capacidad a QLC para 2028.
El BiCS10 utiliza un diseño de dado TLC de 1 Tb, y el aumento de capacidad se logra mediante el apilamiento de capas y una mejora en la escala lateral. Ambas empresas aumentan la densidad añadiendo más capas, mejorando el diseño y utilizando nuevos circuitos, en lugar de incrementar el número de bits por celda de almacenamiento. La nueva generación alcanza una velocidad de transferencia de datos de 4,8 Gbps, mientras que el consumo de energía en lectura se reduce un 29 % en comparación con el diseño anterior. Estas mejoras están diseñadas para aumentar la capacidad sin comprometer la durabilidad ni la fiabilidad.
Los precios de las unidades empresariales de alta capacidad existentes pueden servir como referencia. La serie Solidigm D5-P5336 de 122,88 TB se vende actualmente al por menor entre aproximadamente 49 275 y 64 168 dólares estadounidenses. Según el costo por TB, se estima que la unidad de 512 TB de SanDisk, cuando llegue al mercado en 2027, podría costar más de 300 000 dólares. La competencia en este ámbito sigue siendo intensa, ya que Kioxia, Samsung, Solidigm y Micron compiten por alcanzar hitos de capacidad similares en plazos comparables. Samsung ha confirmado por separado sus planes de lanzar una unidad PCIe 6.0 de 512 TB alrededor de 2027, y un producto Gen 5 de 256 TB en 2026. La oferta de NAND sigue siendo ajustada, y se espera que los precios de los contratos de memoria flash aumenten entre un 70 % y un 75 % trimestralmente hasta mediados de 2026, impulsados principalmente por la demanda empresarial relacionada con la infraestructura de IA generativa.
