es.wedoany.com Noticia: El 10 de junio, la empresa estadounidense Northrop Grumman desarrolló un nuevo chip de banda W basado en nitruro de galio, capaz de mejorar la velocidad y claridad de transmisión de señales inalámbricas en el espectro de alta frecuencia, destinado a escenarios como comunicaciones seguras por satélite, radares militares y futuras redes 5G/6G. El chip pasó de la investigación y desarrollo a estar listo para su aplicación comercial en menos de seis meses, adoptando un diseño más compacto y de bajo costo para reemplazar los equipos tradicionales de alta frecuencia, que son más voluminosos y consumen más energía.
La banda W generalmente corresponde al rango de alta frecuencia de ondas milimétricas, adecuada para soportar transmisiones inalámbricas con mayor ancho de banda y mayor velocidad, pero también impone mayores requisitos en cuanto a materiales de dispositivos, diseño de radiofrecuencia, capacidad de disipación de calor y procesos de fabricación. Los sistemas tradicionales de alta frecuencia a menudo requieren muchos componentes discretos y empaques complejos, lo que aumenta el volumen total, el consumo de energía y la dificultad de integración. El nuevo chip GaN presentado por Northrop Grumman comprime las capacidades relacionadas con la transmisión, recepción y procesamiento de señales de alta frecuencia en un tamaño más pequeño, lo que ayuda a reducir la complejidad del sistema en cargas útiles de comunicaciones por satélite, frontales de radar y equipos de redes inalámbricas de próxima generación.
El material de nitruro de galio es la base clave de este tipo de chips. En comparación con algunos materiales semiconductores tradicionales, el GaN ofrece mayor densidad de potencia, mejor capacidad de trabajo en alta frecuencia y mejor estabilidad a altas temperaturas, siendo adecuado para radares, enlaces satelitales, contramedidas electrónicas, comunicaciones de ondas milimétricas y frontales de radiofrecuencia de alta potencia. Los dispositivos de banda W deben mantener la claridad de la señal y la eficiencia de transmisión a frecuencias extremadamente altas, y el rendimiento del material y la estructura del chip afectan directamente la calidad del enlace. Northrop Grumman ha validado su capacidad de desarrollo rápido en el campo de la microelectrónica de alta frecuencia con este chip, ofreciendo también una nueva opción de dispositivo para sistemas de comunicación de uso dual civil y militar.
La importancia industrial de este avance no se limita a las aplicaciones de defensa. Con la evolución de 5G a 5G-A, el avance de la investigación en 6G y la expansión de Internet por satélite, los recursos del espectro de alta frecuencia se están convirtiendo en una dirección importante para las comunicaciones inalámbricas futuras. Las bandas de frecuencia más altas pueden proporcionar un mayor ancho de banda, pero la distancia de cobertura, la capacidad de penetración, el consumo de energía de los dispositivos y el costo terminal son desafíos para la industrialización. Si los chips GaN de alta integración pueden reducir el volumen y el consumo de energía del sistema, podrían impulsar la actualización de las comunicaciones de ondas milimétricas, los enlaces satelitales seguros, las comunicaciones aerotransportadas, los equipos de estaciones terrestres y los sistemas de detección de alta precisión. Para la cadena industrial de tecnologías de la información y comunicaciones, componentes como los chips de radiofrecuencia, los amplificadores de potencia, el empaquetado y las pruebas, los conjuntos de antenas, los terminales satelitales y los módulos de radar se beneficiarán de la mejora en la capacidad de los dispositivos de alta frecuencia.
Los próximos hitos se centrarán en el progreso de la verificación de este chip en plataformas de sistemas específicos, el control de costos de producción en masa, los resultados de las pruebas de enlaces de comunicación de banda W, y si será adoptado por más proyectos de satélites, comunicaciones seguras y redes inalámbricas de próxima generación. Si esta tecnología continúa madurando, Northrop Grumman fortalecerá su competitividad en el campo de la microelectrónica GaN de alta frecuencia y también impulsará la expansión de los dispositivos de banda W desde sistemas especializados de alta gama hacia escenarios de comunicación y detección más amplios. Para la construcción de redes futuras, este tipo de chip indica que la competencia en infraestructura inalámbrica continúa avanzando hacia frecuencias más altas, mayor integración y menor consumo de energía.
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