es.wedoany.com Noticia: IQE y Tower Semiconductor han anunciado la firma de un acuerdo plurianual de suministro de obleas epitaxiales de fosfuro de indio (InP) para respaldar la tecnología de fotónica de silicio destinada a la inteligencia artificial+ impulsada por centros de datos infraestructura urbana. El acuerdo posiciona a IQE como proveedor estratégico en la hoja de ruta de fotónica de silicio de Tower, centrándose en soluciones de interconexión óptica que satisfagan las necesidades de ancho de banda de los clústeres de IA a gran escala.
Según el acuerdo, IQE suministrará obleas epitaxiales de InP para múltiples plataformas avanzadas de fotónica de silicio de Tower. La colaboración abarca tecnología de transceptores ópticos enchufables de 200 Gbps por canal, el desarrollo de moduladores ópticos de próxima generación de 400 Gbps por canal, y tecnología de conmutación de circuitos ópticos para futuras arquitecturas de centros de datos. El contrato incluye compromisos mínimos de compra por parte de Tower y compromisos de suministro correspondientes por parte de IQE, estableciendo un marco para la producción a gran escala a largo plazo.
Ambas empresas también han resuelto todas las disputas pendientes de propiedad intelectual mediante otro acuerdo independiente. Como parte del acuerdo, Tower otorgará a IQE una licencia mundial libre de regalías sobre las patentes de silicio poroso involucradas en litigios anteriores, poniendo fin a todas las acciones legales relacionadas.
Jutta Meier, directora ejecutiva de IQE, afirmó que el acuerdo consolida la posición de IQE en el mercado global de infraestructura de nube e IA a hiperescala de primer nivel. Con décadas de experiencia en tecnología epitaxial de InP y capacidades de fabricación a gran escala probadas, IQE está preparada para respaldar las aplicaciones de interconexión óptica de próxima generación, impulsando su transición desde la innovación hasta el despliegue comercial.
En el ámbito de la fotónica de silicio, el InP sigue desempeñando un papel clave en funciones ópticas de alto rendimiento, como láseres y moduladores. La hoja de ruta discutida entre IQE y Tower se alinea con la transición de la industria desde las arquitecturas actuales de 100 Gbps por canal hacia motores ópticos de 200 Gbps y, posteriormente, de 400 Gbps por canal, con el objetivo de respaldar los clústeres de IA de próxima generación. Este anuncio también fortalece la posición de Tower Semiconductor en los servicios de fundición de fotónica de silicio. A medida que los proveedores de servicios en la nube a hiperescala, los fabricantes de módulos ópticos y los proveedores de equipos de red buscan alternativas en los modelos de fabricación, Tower ha ampliado su cartera de productos de fotónica de silicio. La resolución de la disputa sobre las patentes de silicio poroso elimina posibles interferencias y establece una relación de cooperación técnica más amplia entre ambas empresas en un contexto de creciente demanda de tecnologías de interconexión óptica, conmutación óptica y fotónica coempaquetada.
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