es.wedoany.com Noticia: La empresa estadounidense de semiconductores Wolfspeed ha lanzado la plataforma de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de quinta generación, dirigida a sistemas de potencia automotrices e industriales de próxima generación de 1200 V y 750 V, con el objetivo de reducir la resistencia específica de encendido (RSP) y mejorar el rendimiento a altas temperaturas. En comparación con las soluciones competitivas existentes de SiC de 1200 V, la nueva tecnología puede reducir la RSP hasta en un 27 %, disminuyendo directamente las pérdidas de conducción y ayudando a los diseñadores de sistemas a aumentar la capacidad de corriente, mejorar la eficiencia del inversor y reducir el tamaño general.
Los dos primeros dispositivos lanzados son el modelo QEM50120-025D10 de 1200 V y el modelo QEM50075-025D10 de 750 V. El dispositivo de 1200 V logra una RSP a nivel de chip de 3,4 mΩ-cm² a 175 °C, mientras que la versión de 750 V alcanza 2,0 mΩ-cm² a la misma temperatura. Ambas clases de voltaje especifican una distribución estricta de RDS(ON) de ±18 %, lo que ayuda a reducir los requisitos de margen de diseño en sistemas de alto rendimiento.
Los nuevos MOSFET son adecuados para inversores de tracción de vehículos eléctricos, cargadores a bordo, infraestructura de carga rápida, fuentes de alimentación industriales y sistemas de protección de estado sólido. Las menores pérdidas de conducción y conmutación pueden aumentar la autonomía del vehículo, reducir el tamaño del sistema de refrigeración y mejorar la densidad de potencia; en plataformas de vehículos eléctricos, permiten diseños de inversores más compactos y también pueden reducir los requisitos de tamaño de la batería para una autonomía determinada.
Los dispositivos Gen 5 conservan la estructura de diodo de cuerpo blando introducida en la generación anterior, al tiempo que extienden la temperatura máxima de unión continua a 200 °C, con funcionamiento de vida limitada hasta 215 °C. Esta combinación mejora el comportamiento de recuperación inversa y el rendimiento general de conmutación, al tiempo que respalda la confiabilidad del sistema a largo plazo en entornos exigentes. La producción se basa en la plataforma de fabricación de SiC de 200 mm de Wolfspeed en su planta de Mohawk Valley, Nueva York. Los productos de nueva generación han completado el diseño y la certificación, y están listos para la producción en masa utilizando la infraestructura existente de rápida puesta en marcha, sin necesidad de nuevas herramientas de fabricación para que los clientes pasen de la validación del diseño a la producción.
Las primeras muestras de dispositivos Gen 5, QEM50120-025D10 y QEM50075-025D10, ya están disponibles para clientes específicos, y se espera que se lancen más productos de 750 V y 1200 V durante todo 2026 y hasta principios de 2027.
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