es.wedoany.com Noticia: Las ventas de la memoria de alto ancho de banda de sexta generación HBM4 de Samsung Electronics de Corea del Sur han superado los 1.000 millones de dólares. El producto comenzó su producción en masa y envío el 12 de febrero de 2026, alcanzando esta escala de ventas en poco más de 4 meses desde el inicio de la producción en masa. Se espera que las ventas superen los 1.200 millones de dólares a finales de junio.
HBM4 es una nueva generación de memoria de alto ancho de banda diseñada para computación de IA y centros de datos de alto rendimiento. En comparación con la DRAM tradicional, HBM, mediante apilamiento multicapa e interconexión de alta densidad, mejora significativamente el ancho de banda y la capacidad dentro de un solo encapsulado, siendo un componente de almacenamiento clave en GPU, aceleradores de IA, ASIC y sistemas de computación de alto rendimiento. Con la continua expansión del entrenamiento de modelos grandes, la inferencia y la construcción de clústeres de IA, la capacidad de suministro de HBM se ha convertido en un eslabón importante en la competencia de infraestructura de IA.
Samsung Electronics anunció anteriormente que HBM4 utiliza un proceso DRAM de sexta generación de 10 nanómetros y un chip base lógico de 4 nanómetros, logrando una velocidad de transmisión estable de 11,7 Gbps, que puede aumentarse hasta 13 Gbps. El ancho de banda total de memoria por pila alcanza hasta 3,3 TB/s, una mejora significativa en comparación con HBM3E, lo que puede aliviar el cuello de botella en el rendimiento de datos causado por la expansión de los modelos de IA.
En términos de capacidad, el HBM4 de Samsung, basado en tecnología de apilamiento de 12 capas, ofrece opciones de capacidad de 24 GB a 36 GB, y posteriormente se expandirá hasta un máximo de 48 GB mediante apilamiento de 16 capas. Para los servidores de IA, una mayor capacidad y un mayor ancho de banda pueden mejorar la utilización de los recursos de GPU, reducir el tiempo de espera de datos y mejorar la eficiencia general del sistema en tareas de entrenamiento e inferencia de modelos a gran escala.
La eficiencia energética y la disipación de calor también son indicadores importantes del HBM4. Samsung Electronics indicó que HBM4, mediante tecnología TSV de bajo voltaje y optimización de la red de distribución de energía, mejora la eficiencia energética en aproximadamente un 40% en comparación con HBM3E, al tiempo que mejora la resistencia térmica y el rendimiento de disipación de calor. El consumo de energía de los servidores de IA sigue aumentando, y si los dispositivos de memoria pueden mantener un consumo controlable bajo un alto ancho de banda afectará directamente el costo total de propiedad y la estabilidad del sistema del centro de datos.
El rápido logro de ventas superiores a los 1.000 millones de dólares indica que HBM4 está acelerando su entrada en la cadena de suministro de hardware de IA. Los fabricantes de chips de IA, las empresas de computación en la nube y los clientes de centros de datos a hiperescala tienen una demanda creciente de la nueva generación de HBM, lo que impulsa a los fabricantes de memoria a asegurar capacidad de producción por adelantado, acelerar la iteración de productos y competir en torno a HBM4, HBM4E y HBM personalizado.
Samsung Electronics enfatiza en HBM4 la sinergia de sus capacidades de memoria, fundición de obleas y empaquetado avanzado. HBM4 no es solo un producto DRAM, sino que también involucra chips base lógicos, interconexión TSV, empaquetado apilado, diseño de disipación de calor y personalización para el cliente. A medida que los aceleradores de IA exigen mayor ancho de banda de memoria, consumo de energía e integración de empaquetado, los fabricantes de memoria con capacidades de fabricación de cadena completa obtendrán una mayor capacidad de negociación y entrega.
Sin embargo, la competencia en el mercado de HBM sigue siendo intensa. Fabricantes como SK Hynix y Micron también están avanzando en HBM4 y el posterior HBM4E. La certificación del cliente, el rendimiento, la estabilidad de entrega y los acuerdos de suministro a largo plazo determinarán la participación de mercado futura. Aunque Samsung Electronics ya ha logrado un avance en las ventas de HBM4, si puede continuar expandiendo su participación dependerá de su posterior aumento de capacidad de producción, verificación del cliente y progreso en la integración en plataformas de chips de IA de alta gama.
Los puntos clave de observación posterior se centrarán en si las ventas de HBM4 de Samsung superan los 1.200 millones de dólares a finales de junio, el progreso de las muestras de HBM4E, el ritmo de producción en masa de la versión de capacidad de apilamiento de 16 capas, y las compras y certificaciones de los principales clientes de chips de IA. Con la entrada de los servidores de IA en un nuevo ciclo de actualización, HBM4 continuará siendo uno de los productos de alto valor más destacados en la cadena de suministro global de semiconductores.
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