es.wedoany.com Noticia: En el Foro SAFE 2026 celebrado en el edificio de oficinas de Seocho en Seúl, Samsung Electronics dio a conocer el día 1 la hoja de ruta del nuevo proceso de 2 nm (nanómetro, una milmillonésima parte de un metro), la tecnología de optimización conjunta de diseño y proceso (DTCO) y la memoria SRAM de alto rendimiento. Planea vincularse con la "Alianza de Transformación de Fabricación con IA (M.AX)" del gobierno surcoreano para desarrollar chips de inteligencia artificial (IA) en el dispositivo, con el fin de fortalecer el papel de la plataforma de semiconductores de sistema nacional de Corea del Sur.
Shin Jong-shin, jefe del equipo de desarrollo de la plataforma de diseño (DP) de la división de fundición de Samsung Electronics, declaró en su discurso principal que Samsung Electronics mejorará su capacidad para responder a la demanda de IA y, mediante el Foro SAFE, fortalecerá la comunicación con clientes y socios, iniciando formalmente la colaboración con los clientes, yendo más allá de la producción por encargo para reforzar el papel de la plataforma de la industria de semiconductores de sistema nacional de Corea del Sur.
Park Sung-hyun, CEO de la empresa surcoreana de diseño de chips sin fábrica (fabless) Rebellions, presentó que la compañía ha desarrollado el procesador de red neuronal (NPU) "Rebel100" basado en el proceso de fundición de 4 nm y el empaquetado avanzado de Samsung Electronics, y continuará colaborando en el ámbito de los semiconductores de IA para construir una IA soberana. Jean Marie Brunet, vicepresidente senior de Siemens EDA, una empresa global de automatización de diseño electrónico (EDA), también presentó un plan de apoyo para la rápida implementación de semiconductores de IA y computación de alto rendimiento (HPC) utilizando el proceso avanzado de Samsung.
Además de la colaboración en el ecosistema, Samsung Electronics también reveló una hoja de ruta de procesos personalizados para satisfacer la demanda de semiconductores de IA, que incluye la tecnología DTCO para optimizar simultáneamente el diseño y la tecnología de proceso, la nueva tecnología de proceso de 2 nm y un plan para mejorar la competitividad de la SRAM de alto rendimiento, con el objetivo de mejorar la competitividad en potencia, rendimiento y área (PPA). La compañía está colaborando con el gobierno surcoreano y el ámbito académico para acelerar la expansión de la infraestructura del ecosistema de semiconductores de sistema nacional, participando en la Alianza M.AX impulsada por el Ministerio de Comercio, Industria y Energía para desarrollar semiconductores de IA en el dispositivo de bajo consumo y alto rendimiento para automóviles, electrodomésticos, robótica y defensa. Al mismo tiempo, Samsung Electronics continúa apoyando el proyecto de obleas multiproyecto (MPW) para reducir la carga de los prototipos iniciales de las empresas fabless nacionales y participa en el programa de formación de talentos a nivel de maestría y doctorado "K-CHIPS".
El foro de este año, bajo el tema "Punto de conexión de la inteligencia de silicio", atrajo a más de 400 asistentes, entre clientes globales y socios. 21 socios en los campos de automatización de diseño electrónico (EDA), propiedad intelectual de diseño (IP), proveedores de soluciones de diseño (DSP), diseño virtual (VDP) y empaquetado avanzado (MDI) exhibieron sus soluciones en los stands. Un portavoz de Samsung Electronics indicó que, con la expansión del mercado de semiconductores de IA, la tecnología de proceso avanzado y la capacidad de construcción del ecosistema se han convertido en competencias centrales. Para promover el desarrollo del ecosistema de semiconductores de sistema nacional y fortalecer la competitividad de la fundición, Samsung Electronics continuará colaborando con clientes, socios y el gobierno, centrándose en los proyectos SAFE y MPW.
