es.wedoany.com Noticia: El 3 de julio, Kioxia de Japón anunció que los dispositivos de memoria flash 3D de décima generación BiCS FLASH han comenzado oficialmente la entrega de muestras. La nueva generación de productos está orientada a las necesidades de almacenamiento de alto rendimiento, gran capacidad y bajo consumo energético, y se utilizará para la verificación de futuros SSD, terminales móviles, centros de datos y productos de almacenamiento relacionados con IA.
La décima generación de BiCS FLASH continúa la trayectoria técnica de Kioxia en la memoria flash 3D NAND, impulsando las celdas de almacenamiento hacia una mayor apilamiento vertical, integración de alta densidad y acceso de bajo consumo. A diferencia de la NAND plana tradicional, la 3D NAND aumenta la capacidad por chip mediante el apilamiento vertical de capas de almacenamiento, mejorando la densidad de almacenamiento sin depender únicamente de procesos de fabricación más pequeños. El inicio del envío de muestras por parte de Kioxia indica que los nuevos granos de memoria flash han entrado en la fase de evaluación por parte de los clientes, permitiendo que los fabricantes downstream realicen pruebas en torno al controlador principal, firmware, formato de encapsulado, control de consumo energético y compatibilidad del sistema. La fase de muestras no equivale inmediatamente a un lanzamiento masivo, pero es un hito importante antes de que los granos de memoria ingresen al diseño de productos terminales, la certificación de clientes y la preparación para la producción en masa.
El enfoque central del nuevo producto se concentra en tres indicadores: rendimiento, capacidad y consumo energético. Para SSD y dispositivos de almacenamiento integrados, la velocidad de interfaz, la eficiencia de lectura/escritura y el rendimiento energético del grano de memoria flash afectan directamente el rendimiento de almacenamiento del sistema, la duración de la batería, la presión térmica y la estabilidad operativa a largo plazo.
Las aplicaciones de IA están transformando la estructura de demanda de la memoria flash NAND. El entrenamiento de modelos grandes, los servicios de inferencia, la generación de video, el análisis de registros, las bases de datos vectoriales y el archivado de datos empresariales aumentarán continuamente la demanda de almacenamiento de alta capacidad y acceso rápido a datos. Los centros de datos solían centrarse más en chips de computación y memoria de alto ancho de banda, pero una gran cantidad de parámetros de modelos, muestras de entrenamiento, datos en caché y datos comerciales aún requieren memoria flash NAND. Los PC cliente, teléfonos inteligentes, sistemas automotrices y equipos industriales también están incrementando funciones locales de IA, lo que exige almacenamiento integrado de mayor capacidad, menor consumo y mayor confiabilidad. Tras el inicio del envío de muestras de la décima generación de BiCS FLASH de Kioxia, la entrada de los productos posteriores en SSD y terminales principales dependerá de los resultados de verificación de los clientes, la mejora del rendimiento, el control de costos y la capacidad de combinación de diferentes versiones de capacidad.
Kioxia ha estado profundamente involucrada en la memoria flash NAND durante mucho tiempo, y BiCS FLASH es una de sus líneas de productos principales. El inicio del envío de muestras de la décima generación indica que la empresa ha avanzado la próxima generación de flash 3D desde la demostración técnica hasta la fase de verificación con clientes. Tras la entrada de la industria del almacenamiento en el ciclo de IA, la competencia entre los fabricantes de NAND se centrará más en la arquitectura de apilamiento, la capacidad por unidad de área, la eficiencia energética, la velocidad de interfaz, el rendimiento de producción en masa y la capacidad de adaptación a las plataformas de los clientes.
