es.wedoany.com Noticia: El secretario de Comercio de Estados Unidos, Howard Lutnick, instó directamente a Samsung Electronics y SK hynix durante un evento en la fábrica de semiconductores de Micron a expandir sus inversiones en instalaciones de producción de semiconductores de memoria en el país. Esta señal indica que el gobierno estadounidense está intensificando la presión para atraer las bases de producción de las empresas globales de semiconductores a su territorio.

Lutnick asistió a la ceremonia de vertido de hormigón de la fábrica de semiconductores de Micron en Clay, Nueva York, y mencionó las inversiones de estas dos empresas surcoreanas en Estados Unidos. Afirmó que está discutiendo con Samsung Electronics y SK hynix planes para invertir en instalaciones de producción en el país, sin revelar detalles de las negociaciones. "También queremos atraer a nuestros competidores Samsung Electronics y SK hynix para que construyan instalaciones de producción en Estados Unidos", declaró Lutnick. También señaló que Micron lidera las inversiones en el país y que los competidores seguirán su ejemplo, reiterando la política de la administración Trump de proteger a las empresas estadounidenses y la propiedad intelectual de las inversiones.

Las declaraciones de Lutnick se interpretan como una exigencia a Samsung Electronics y SK hynix para que vayan más allá de sus inversiones actuales en Estados Unidos y construyan instalaciones de producción de memoria en el país. Actualmente, Samsung Electronics está construyendo una fundición en Taylor, Texas; SK hynix planea construir una base de producción y desarrollo de empaquetado avanzado de memoria para inteligencia artificial (IA) en Indiana. Sin embargo, ninguna de las inversiones de ambas empresas en Estados Unidos incluye fábricas de obleas para la producción previa de DRAM y NAND.

El gobierno estadounidense está impulsando políticas para expandir las inversiones en instalaciones de producción nacional, con el fin de reducir la dependencia de la cadena de suministro de semiconductores del extranjero. El enfoque consiste en ofrecer subsidios e incentivos fiscales, al tiempo que se menciona la posibilidad de imponer aranceles, presionando así a las empresas globales de semiconductores para que produzcan localmente.

Micron anunció ese mismo día que invertirá más de 250 mil millones de dólares (aproximadamente 375 billones de wones) en instalaciones de producción y tecnología de semiconductores en Estados Unidos para 2035, un aumento de 50 mil millones de dólares respecto al plan anterior de 200 mil millones. Las inversiones incluyen la construcción de una nueva fábrica de obleas en Nueva York, así como la expansión y modernización de instalaciones en Idaho y Virginia. Micron también adelantó el primer vertido de hormigón de la fábrica de obleas en Nueva York en más de un trimestre respecto al cronograma original. La empresa tiene como objetivo producir el 40% de su producción de DRAM en Estados Unidos, y se espera que el proceso de inversión genere más de 90,000 empleos en todo el país.

Micron también realizará inversiones independientes para fortalecer el ecosistema de la cadena de suministro de semiconductores en Estados Unidos, con planes de proporcionar hasta 3 mil millones de dólares en apoyo a socios de materiales y componentes. De esa cantidad, 500 millones de dólares se destinarán a apoyar la expansión de las instalaciones de producción de obleas de silicio de GlobalWafers en Texas, y se firmarán contratos de suministro a largo plazo. La expansión de las inversiones de Micron se interpreta como un movimiento para asegurar bases de producción nacionales en Estados Unidos, mejorar la capacidad de producción y la competitividad de la cadena de suministro, en un contexto de creciente demanda de DRAM y memoria de alto ancho de banda (HBM) impulsada por la adopción de infraestructura de IA, con el objetivo de hacer frente al mercado global de memoria dominado por Samsung Electronics y SK hynix.