es.wedoany.com Noticia: En la ciudad de Higashihiroshima, prefectura de Hiroshima, Japón, Micron Technology ha iniciado oficialmente un proyecto de ampliación de su fábrica con una inversión total de 1,5 billones de yenes (aproximadamente 93 mil millones de dólares). La ceremonia de colocación de la primera piedra se celebró el 4 de julio de 2026, hora local. Esta es una disposición clave de capacidad de producción por parte de Micron para satisfacer la explosiva demanda de almacenamiento en la era de la inteligencia artificial, y también un proyecto fundamental para que Japón revitalice su cadena industrial de semiconductores. El Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón proporcionará subsidios de hasta 500 mil millones de yenes para este proyecto.
La fábrica de Hiroshima, con más de 35 años de tradición en la fabricación de semiconductores, refleja la evolución de la industria de almacenamiento en Japón. Inaugurada en 1988 como la fábrica de NEC en Hiroshima, se integró en Elpida Memory en 2003 tras la consolidación de la industria japonesa de DRAM. En 2013, después de que Micron adquiriera la quebrada Elpida, se convirtió oficialmente en el núcleo operativo de Micron en Japón. La primera oblea de producción en masa de HBM en la historia de Micron nació aquí. Alrededor de la fábrica se concentran proveedores de materiales upstream como fotorresistentes, gases electrónicos especiales y obleas de silicio, lo que permite adquirir aproximadamente el 80% de las materias primas de producción localmente, destacando por su estabilidad en la cadena de suministro y su capacidad de soporte de procesos.
El núcleo tecnológico de esta ampliación es la DRAM de proceso 1γ (1-gamma) de Micron, el nodo tecnológico de DRAM más avanzado a nivel mundial. Esta tecnología se basa en la acumulación técnica de las generaciones de procesos 1α y 1β de Micron, y aplica por primera vez de manera integral la litografía ultravioleta extrema en la fabricación de DRAM, combinada con nuevos esquemas de proceso HKMG y CMOS. En comparación con la generación anterior de proceso 1β, la DRAM 1γ reduce el consumo de energía en más de un 20%, aumenta la densidad de almacenamiento en más de un 30% y duplica el rendimiento por bit, lo que la hace adecuada para las necesidades de almacenamiento de alto rendimiento en múltiples escenarios, como la computación de IA, la electrónica de consumo de gama alta, los vehículos inteligentes y los centros de datos en la nube. Además de los productos DRAM estándar, la nueva línea de producción también se centrará en la capacidad de memoria de alto ancho de banda (HBM), cubriendo productos de gama alta como HBM4 y HBM4E orientados a la potencia de cálculo de IA. Actualmente, el HBM4 que Micron ha desarrollado para la plataforma Vera Rubin de NVIDIA ya ha entrado en fase de producción en masa.
Según el plan del proyecto, esta ampliación incluirá la construcción de una nueva sala limpia de producción de 28.000 metros cuadrados, con un enfoque por fases para la construcción y la instalación de equipos. Se espera que la línea de producción comience los envíos comerciales en el verano de 2028 y alcance su plena capacidad en 2030, momento en el que la capacidad de producción mensual de obleas alcanzará las 40.000 unidades. El Ministro de Economía, Comercio e Industria de Japón, Ryōsei Akazawa, declaró durante la ceremonia de colocación de la primera piedra que Micron es el único fabricante de DRAM en Japón en la actualidad, y que esta inversión tiene un valor estratégico para el ecosistema de semiconductores del país. Según datos de Counterpoint Research, en el primer trimestre de 2026, SK Hynix poseía el 58% de la cuota del mercado global de HBM, mientras que la cuota de Micron había aumentado del 9% a finales de 2024 a aproximadamente el 21% a finales de 2025, superando a Samsung para ocupar el segundo lugar a nivel mundial. Esta ampliación de la fábrica de Hiroshima es una operación clave para que Micron reduzca la brecha con el líder de la industria y compita por el dominio del mercado de almacenamiento para IA.
