es.wedoany.com Noticia: El 27 de julio, Samsung Electronics publicó una entrevista con Koo Ja-heum, jefe de la Oficina de Desarrollo Tecnológico de la División de Semiconductores de la empresa. Samsung reveló oficialmente la hoja de ruta tecnológica central de su octava generación de memoria de alto ancho de banda (HBM5).

Koo Ja-heum anunció que la velocidad de funcionamiento de la próxima memoria HBM5 de Samsung será aproximadamente un 50 % más rápida que la de la generación anterior HBM4E, y que la capa base (Base Die) de HBM5 adoptará históricamente un proceso de 2 nm basado en la estructura de transistores de puerta envolvente (GAA). Esta es la primera vez que la industria mundial de semiconductores aplica claramente el proceso de vanguardia de 2 nm a la fabricación de chips base de HBM.

En cuanto a las especificaciones técnicas concretas y la evolución de la arquitectura, Koo Ja-heum detalló en la entrevista exclusiva que, a medida que los productos HBM avanzan hacia generaciones superiores, las exigencias de la industria en cuanto a rendimiento de procesamiento de datos y eficiencia energética general se están volviendo extremadamente estrictas. Para satisfacer la demanda insaciable de potencia de cálculo en los campos de la inteligencia artificial y la supercomputación, HBM5 no solo incorporará completamente el proceso GAA de 2 nm, sino que también logrará una mayor integración y una tecnología de interconexión de silicio a través de vías (TSV) de mayor densidad a nivel de chip base.

En comparación con la estructura FinFET tradicional, la arquitectura GAA permite que la puerta envuelva completamente el canal de corriente en cuatro lados, logrando un control de corriente más preciso, lo que mejora significativamente el rendimiento de la transmisión de datos y reduce drásticamente el consumo energético general.

En cuanto al ritmo de implementación del salto de nodo de proceso, Samsung proporcionó una hoja de ruta clara.

Koo Ja-heum enfatizó que Samsung ya había aplicado su maduro proceso de cuarta generación de 4 nm a la fabricación de chips base de HBM4 y HBM4E. Basándose en la rica experiencia, los datos de rendimiento y la competitividad tecnológica subyacente acumulados durante el desarrollo y la producción en masa de los chips base HBM4 de 4 nm, Samsung Electronics decidió adoptar una estrategia tecnológica más agresiva, introduciendo directamente el proceso GAA de 2 nm en la generación HBM5.

Al mismo tiempo, Koo Ja-heum destacó en la entrevista la ventaja única del sistema de producción "llave en mano" (Turnkey) de Samsung Electronics en la industria. Explicó que HBM es un producto complejo formado por el apilamiento y empaquetado de capas de memoria central (Core Die) y chips lógicos base. Samsung puede lograr un ciclo cerrado completo interno, desde la fabricación de chips centrales por parte de la división de memoria, la fabricación de chips base por parte de la división de fundición, hasta la integración heterogénea final por parte del equipo de empaquetado avanzado. Este modelo de colaboración de control autónomo de todo el proceso no solo acorta significativamente el ciclo de desarrollo y el tiempo de producción en masa de HBM5, sino que también ofrece ventajas notables en el control de costos de fabricación.

Además, Koo Ja-heum reveló el progreso general de la fundición de 2 nm de Samsung: tras el lanzamiento mundial pionero de la producción en masa del proceso GAA de 3 nm, Samsung inició la producción en masa de la primera generación del proceso de 2 nm en la segunda mitad de 2025, y planea producir en masa la segunda generación del proceso de 2 nm, con rendimiento y rendimiento optimizados, en la segunda mitad de 2026. Actualmente, los pedidos de clientes importantes, incluido Tesla, continúan expandiéndose.

De cara al desarrollo general del ecosistema de semiconductores en el futuro, Koo Ja-heum indicó que la visión de Samsung Electronics no se limita solo al campo actualmente candente de los aceleradores de IA y la computación de alto rendimiento (HPC). Con la integración y aplicación de tecnologías de vanguardia como el proceso de 2 nm y HBM5, Samsung está expandiendo activamente la colaboración profunda con una gama más amplia de clientes de la industria.

La empresa planea aplicar ampliamente su avanzada memoria HBM y servicios de fundición personalizados en áreas como terminales móviles inteligentes, plataformas de electrónica automotriz de próxima generación y hardware robótico de vanguardia. A través de la habilitación de potencia de cálculo y almacenamiento subyacentes en múltiples sectores, Samsung Electronics se compromete a liderar el mayor desarrollo y fortalecimiento del ecosistema global de semiconductores.