es.wedoany.com Noticia: El 6 de mayo de 2026, liderada por SIAMKE Advanced Materials Co., Ltd. y siguiendo los procedimientos de establecimiento de normas del Comité de Normalización de la Alianza Estratégica de Innovación Tecnológica en la Industria de Semiconductores de Tercera Generación (CASAS), se publicó oficialmente para la industria la norma de grupo T/CASAS 068—2026 «Grafito poroso isotrópico para la fabricación de obleas de carburo de silicio». Esta norma se aplica a los materiales de grafito poroso isotrópico y sus componentes utilizados en el crecimiento de monocristales de carburo de silicio y epitaxia, con un requisito de pureza superior a 5N5 (fracción de masa del 99,9995 %). El documento especifica los requisitos técnicos, métodos de ensayo, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte y almacenamiento de los materiales. Anteriormente, CASAS ya había publicado en 2025 la norma T/CASAS 048—2025 «Grafito isostático para el crecimiento de monocristales de carburo de silicio». La publicación de esta nueva norma completa aún más el rompecabezas de la estandarización de los materiales de grafito clave para la fabricación de carburo de silicio.
El grafito poroso es un material básico clave indispensable en la fabricación de semiconductores de carburo de silicio. Como material carbonoso de alta porosidad, su función principal abarca dos etapas cruciales: el crecimiento de monocristales en sustrato y el proceso epitaxial. Durante el crecimiento de monocristales en sustrato, el grafito poroso influye directamente en la calidad del cristal al regular la relación atómica carbono-silicio dentro de la cámara de crecimiento, optimizar la distribución del gradiente de temperatura y suprimir la difusión de impurezas, lo que permite obtener obleas de mayor tamaño. Durante el crecimiento del cristal, las materias primas de polvo de silicio y polvo de carbono necesitan sublimarse en gas para luego recristalizar. El grafito poroso, gracias a su estructura porosa, divide, mezcla, canaliza y controla los gases precursores, proporciona una fuente adicional de carbono, aumenta la relación C/Si en la zona de crecimiento y permite una liberación controlada según la proporción requerida, garantizando la estabilidad del flujo de materia durante todo el proceso de crecimiento. Esto reduce eficazmente el efecto de policristalización en los bordes del cristal y asegura el crecimiento de un único politipo. Al mismo tiempo, las propiedades de conducción térmica del grafito poroso contribuyen a homogeneizar el campo de temperatura en la zona del polvo, reduciendo el transporte inverso de vapor y la recristalización en la superficie del polvo, lo que mejora la tasa de utilización de la materia prima de carburo de silicio y la velocidad de crecimiento del cristal, optimiza la distribución de la resistividad axial y resulta especialmente adecuado para la preparación de monocristales de gran tamaño. Mediante la regulación de los tipos de poros y la optimización del campo térmico, el grafito poroso también puede inhibir la descomposición del borde del cristal, promover la expansión del diámetro y mejorar la estabilidad general del crecimiento.
En el proceso epitaxial, el grafito poroso también desempeña una tarea clave. Al utilizar grafito poroso en ubicaciones específicas del horno epitaxial de carburo de silicio, sus características estructurales y de conductividad térmica únicas permiten regular la distribución del campo de temperatura dentro de la cámara del horno epitaxial, mejorando significativamente la uniformidad del espesor de deposición y la concentración de dopaje de la capa epitaxial. También juega un papel importante en la reducción de la deformación o el agrietamiento de las obleas epitaxiales causados por falta de uniformidad de la temperatura.
El carburo de silicio, como material central de los semiconductores de banda prohibida ancha de tercera generación, está experimentando una explosión de demanda en sectores como los vehículos de nueva energía, el almacenamiento de energía fotovoltaica y las fuentes de alimentación para centros de datos de IA. El sustrato de carburo de silicio, como el eslabón más crítico de la cadena industrial, impulsa directamente la demanda de grafito poroso de alta calidad con su expansión de capacidad de producción. China ha establecido una cadena industrial completa de materiales de carburo de silicio, y las empresas nacionales han logrado la capacidad de producción en masa escalable desde 6 pulgadas hasta 8 pulgadas.
SIAMKE Advanced Materials Co., Ltd., fundada en 2007, tiene su sede en la ciudad de Huzhou, provincia de Zhejiang, China, y cuenta con una segunda base de producción en Yinchuan, Ningxia, con una superficie total de aproximadamente 66,7 hectáreas. La empresa posee procesos de producción avanzados, ecológicos y respetuosos con el medio ambiente, y se dedica principalmente a la investigación, desarrollo, producción y venta de materiales de grafito especial de alta gama y materiales compuestos de base carbonosa. Es una empresa nacional de alta tecnología, un «Pequeño Gigante» nacional especializado y sofisticado, y su laboratorio ha sido acreditado por el Servicio Nacional de Acreditación de China (CNAS). La empresa puede producir materiales para campos térmicos de gran tamaño de 36 pulgadas y superiores, con un contenido de impurezas de grafito inferior a 5 ppm. Sus productos se utilizan ampliamente en industrias como semiconductores, fotovoltaica y energía nuclear. SIAMKE es el único miembro de la industria del grafito de China que se ha unido a la Sociedad Americana para Pruebas y Materiales (ASTM). Hasta 2023, ha participado en la elaboración de un total de 19 normas nacionales, sectoriales y ASTM, y ha establecido relaciones de cooperación con instituciones de investigación líderes a nivel mundial como la Academia China de Ciencias, la Universidad de Tsinghua y la Universidad de Oxford.
Las principales unidades redactoras de esta norma también incluyen a Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co., Ltd., Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd., Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd., Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., la Universidad de Shandong y el Instituto de Semiconductores de la Academia China de Ciencias, entre otras empresas centrales e instituciones de investigación de la cadena industrial. Cabe destacar que Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. y Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd. son empresas líderes en la fabricación de sustratos de carburo de silicio en China. Su participación permitió que la norma, durante su proceso de elaboración, se alineara directamente con las necesidades reales y los datos de verificación de primera línea de la industria.
En los últimos años, SIAMKE ha intensificado continuamente sus esfuerzos en el campo de la estandarización de materiales de grafito para semiconductores. El 23 de abril de 2025, se publicó oficialmente la norma T/CASAS 048—2025 «Grafito isostático para el crecimiento de monocristales de carburo de silicio», liderada por SIAMKE, aplicable a componentes de campo térmico para el crecimiento de monocristales de carburo de silicio con una pureza superior a 5N5. La publicación de la T/CASAS 068—2026 amplía el alcance de la norma del grafito isostático al grafito poroso isotrópico, detallando aún más los requisitos técnicos para los materiales clave en la fabricación de carburo de silicio. El 3 de abril de 2026, se celebró en Changxing, Huzhou, la tercera reunión de trabajo del Consorcio de Innovación en Grafito, organizada por la Alianza Estratégica de Innovación Tecnológica en Materiales para Circuitos Integrados y auspiciada por SIAMKE. En la reunión se definió que SIAMKE lideraría la organización de los resultados de las discusiones, determinaría las direcciones clave de investigación del consorcio para la siguiente fase e impulsaría la formación de un modelo industrial de investigación y desarrollo colaborativo ascendente y descendente, verificación conjunta y co-construcción de normas, abriendo el enlace de colaboración de toda la cadena industrial «Materiales – Equipos – Fabricación Fab».
Desde la perspectiva de la situación actual de la industria, el grafito poroso, como consumible central para semiconductores, ha dependido en gran medida de las importaciones durante mucho tiempo. Varios investigadores han señalado que, en el proceso de desarrollo de los dispositivos de carburo de silicio, los materiales de grafito poroso de alta calidad han sido un cuello de botella que ha restringido el desarrollo de la industria nacional de materiales de grafito para semiconductores. Los productos de grafito poroso de alta gama para el crecimiento de cristales dependían principalmente de fabricantes extranjeros, con precios elevados y cadenas de suministro inestables, lo que hacía imperativa la sustitución por producción nacional. La publicación de la T/CASAS 068—2026 proporciona un punto de referencia de evaluación de calidad unificado para las empresas nacionales de sustratos y epitaxia de carburo de silicio, lo que ayuda a guiar a los proveedores de materiales de grafito hacia una iteración continua hacia una mayor pureza y un mejor rendimiento, fortalece la conexión técnica entre los eslabones ascendentes y descendentes de la cadena industrial, y promueve la industrialización de los materiales de grafito semiconductores nacionales y el control autónomo de la cadena de suministro. SIAMKE es también una empresa en la que Black Peony, una empresa que cotiza en el mercado de acciones A, participa indirectamente a través de Changzhou Jinrui Carbon Venture Capital Enterprise, y actualmente avanza de manera constante.
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