es.wedoany.com Noticia: Ampleon ha presentado el transistor de potencia RF GaN de alta eficiencia C5H4850N55D, un transistor Doherty GaN de 55 W que opera en un rango de frecuencia de 4800 MHz a 5000 MHz, diseñado para satisfacer las necesidades de estaciones base 5 GHz y sistemas de comunicación multicanal.
A medida que los operadores de red continúan mejorando el rendimiento de datos y la eficiencia energética, los diseñadores de amplificadores de potencia RF enfrentan una mayor presión para mantener la linealidad y eficiencia en un amplio ancho de banda y una alta relación de potencia pico a media. El C5H4850N55D logra una operación Doherty eficiente mediante una solución GaN internamente adaptada altamente optimizada, simplificando el diseño y reduciendo la carga de trabajo.
En aplicaciones Doherty típicas, este dispositivo alcanza una eficiencia de drenaje de aproximadamente el 50% en toda la banda, con un nivel de ganancia de 14 dB en condiciones W-CDMA, lo que permite una amplificación eficiente de señales con alta relación de potencia pico a media. Su capacidad de predistorsión digital ayuda a mejorar la linealidad a nivel de sistema, cumpliendo con los requisitos espectrales de los sistemas de comunicación modernos. El transistor admite una potencia de salida de hasta 45 dBm en condiciones de compresión, proporcionando margen para aplicaciones multicanal y de banda ancha.
El C5H4850N55D puede soportar variaciones de carga de hasta 10:1 VSWR en condiciones de desajuste, garantizando un rendimiento estable en despliegues reales. El dispositivo utiliza un encapsulado QFN compacto de 8 mm x 8 mm, y su diseño de entrada internamente adaptado reduce la complejidad de la red de adaptación externa, favoreciendo una alta densidad de potencia y un uso eficiente del espacio en la placa de circuito.
El C5H4850N55D ya está disponible a través de la red de distribución global de Ampleon.
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