es.wedoany.com Noticia: ROHM Semiconductor de Japón ha lanzado la serie AG16xFNxx de MOSFET de potencia de 80 V, diseñados específicamente para sistemas de alimentación de 48 V en automoción. Esta serie de dispositivos está concebida para satisfacer las crecientes demandas de potencia de los vehículos modernos, mejorando al mismo tiempo la eficiencia y reduciendo el área ocupada por las etapas de conversión de potencia.
A medida que la industria automotriz avanza hacia arquitecturas eléctricas de mayor potencia, los sistemas de 48 V se están consolidando como una alternativa eficaz a las redes tradicionales de 12 V, especialmente en vehículos de gama alta y electrificados. Se espera que esta transición se acelere en los próximos años, impulsando la demanda de semiconductores de potencia que ofrezcan menores pérdidas de conducción y conmutación en comparación con los MOSFET de 100 V comúnmente utilizados en la actualidad. ROHM Semiconductor ha desarrollado la serie AG16xFNxx para satisfacer estos requisitos, ofreciendo dispositivos de 80 V específicamente adaptados al rango de tensión de 48 V en automoción.
Los nuevos MOSFET están disponibles en dos opciones de encapsulado compacto: el encapsulado HPLF5060 (dimensiones 4,9 mm × 6,0 mm) y el encapsulado DFN3333 (dimensiones 3,3 mm × 3,3 mm). En comparación con encapsulados tradicionales de MOSFET para automoción, como el TO-252 (dimensiones 6,6 mm × 10,0 mm), ambos encapsulados logran una reducción significativa en tamaño. Esta menor área ocupada permite a los diseñadores aumentar la densidad de potencia y reducir las dimensiones generales de las unidades de control electrónico y los módulos de potencia.
ROHM Semiconductor ha empleado tecnologías de encapsulado orientadas a mejorar la fiabilidad y el rendimiento térmico. El encapsulado HPLF5060 utiliza terminales de ala de gaviota (Gull-Wing Leads) para mejorar la robustez de las uniones de soldadura, mientras que el encapsulado DFN3333 incorpora la tecnología de flancos humectables (Wettable Flank Technology), que facilita la inspección óptica automatizada y mejora la fiabilidad de la conexión a la placa de circuito impreso (PCB). Además, estos dispositivos emplean la tecnología de unión por pinza de cobre (Copper Clip Junction Technology), que mejora la capacidad de disipación térmica, permitiendo que los MOSFET soporten corrientes elevadas en condiciones exigentes de automoción.
Todos los productos de la serie AG16xFNxx cumplen con la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101, siendo adecuados para aplicaciones vehiculares que requieren altos niveles de seguridad y fiabilidad. Los escenarios de aplicación típicos incluyen circuitos de control de inversores principales, motores eléctricos, bombas de agua electrónicas y otros subsistemas que operan en arquitecturas de vehículos de 48 V.
El AG160FNS4FRA, con encapsulado HPLF5060, y el AG166FNH7FRA, con encapsulado DFN3333, iniciaron su producción en serie en abril de 2026. ROHM Semiconductor también planea expandir la cartera con más dispositivos, encontrándose actualmente en desarrollo modelos de alta potencia con formato de encapsulado TOLG. Los nuevos productos forman parte de la serie EcoMOS de MOSFET de potencia de silicio de la compañía, diseñada para proporcionar soluciones de conmutación eficientes en aplicaciones de automoción, industriales y de consumo.
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