es.wedoany.com Noticia: STMicroelectronics está intensificando su apuesta por el mercado de la fotónica de silicio, con la esperanza de obtener un impulso de crecimiento a partir de la creciente demanda de tecnología de redes ópticas en los centros de datos de inteligencia artificial (IA). La empresa colabora actualmente con clientes en Estados Unidos y China para fortalecer su posición en el mercado.
Park Joong-ho, director de STMicroelectronics, reveló en una conferencia sobre comunicaciones ópticas e interconexión para centros de datos de IA celebrada el 24 de junio en la Torre Posco Yeoksam, Seúl, que la compañía ha estado preparándose para la tecnología de fotónica de silicio durante casi una década, pero que anteriormente la demanda de despliegue a gran escala de comunicaciones ópticas de alto rendimiento no era lo suficientemente fuerte. Indicó que, dado que los modelos de IA y la infraestructura de los centros de datos han alcanzado ahora el nivel de gigavatios (GW), la comunicación óptica se ha convertido en una tecnología fundamental clave.
Además de sus negocios tradicionales principales, como los microcontroladores (MCU) y los semiconductores de potencia, STMicroelectronics ha comenzado recientemente a obtener ingresos de los circuitos integrados fotónicos (PIC). Park Joong-ho explicó que uno de los mayores fabricantes de transceptores ópticos de China encargó recientemente el chip PIC100, y el valor de este pedido equivale aproximadamente al 5% al 10% de los ingresos anuales de la empresa. Park Joong-ho señaló que, aunque el producto aún no ha entrado completamente en la fase de producción en masa madura, el cliente ha mostrado una fuerte voluntad de cooperación, dispuesto a completar todo el proceso de desarrollo y colaborar para superar los desafíos. Este transceptor óptico, utilizado para convertir señales eléctricas en señales ópticas y viceversa, está poniendo de manifiesto la sólida demanda del mercado de chips fotónicos.
El PIC100 es un dispositivo de fotónica de silicio de alto rendimiento basado en una plataforma de obleas de 300 mm. Integra en un solo chip moduladores ópticos para convertir información digital, fotodetectores para recibir señales, y componentes pasivos como guías de onda de silicio y nitruro de silicio (SiN). Esta arquitectura reduce el número de componentes y el consumo de energía, al tiempo que mejora la fiabilidad. Anteriormente, STMicroelectronics había desarrollado productos predecesores como PIC10, PIC20 y PIC50. La parte de modulación óptica del chip emplea un modulador Mach-Zehnder (MZM) de alta velocidad con una estructura de unión p-n optimizada. Al reducir significativamente la resistencia durante la transmisión de la señal, el ancho de banda eléctrico y óptico del dispositivo supera los 50 GHz, lo que permite convertir más señales eléctricas en señales ópticas. Cuando se aplica una señal eléctrica de alta velocidad, la rápida formación y disipación de la barrera de potencial en la unión p-n altera sutilmente la fase de la luz que atraviesa la guía de onda adyacente, logrando así la conversión electroóptica.
En el lado de recepción de señales ópticas, el dispositivo integra un fotodiodo de germanio-silicio optimizado para detección de alto rendimiento, con un ancho de banda del fotodetector de 80 GHz, superando al modulador óptico. La velocidad de transmisión de datos por canal óptico es de 200 Gbps, y está diseñado para admitir velocidades futuras de 400 Gbps. La pérdida de acoplamiento óptico entre el chip y la fibra se controla por debajo de 1 decibelio (dB). Para explotar aún más el rendimiento, STMicroelectronics utiliza el PIC100 junto con el circuito integrado electrónico (EIC) B55X. El B55X se encarga de gestionar funciones como el control de la fuente láser y el procesamiento de señales eléctricas. Está basado en una plataforma BiCMOS de 55 nm, que integra transistores bipolares (BJT) con dispositivos CMOS en el mismo sustrato, combinando la alta velocidad y alta potencia de los BJT con la integración y eficiencia energética del CMOS. El B55X puede procesar eficientemente señales eléctricas en el rango de 400 GHz a 500 GHz.
STMicroelectronics ha adoptado una arquitectura 3D similar a la de la memoria de alto ancho de banda (HBM), apilando verticalmente el PIC100 y el B55X mediante tecnologías de interconexión de vías a través de silicio (TSV) y microbumps, creando un motor óptico de alto rendimiento. Este diseño minimiza la pérdida de señal y permite una alta integración con unidades centrales de procesamiento (CPU) y unidades de procesamiento gráfico (GPU) mediante la tecnología de optoelectrónica copackaged (CPO). Park Joong-ho mencionó que el rápido auge del mercado de la fotónica de silicio ha aumentado significativamente el interés de los inversores, y las acciones de STMicroelectronics se han multiplicado por aproximadamente cuatro en solo unos meses. Pronosticó que la cuota de la tecnología de fotónica de silicio en el mercado de transceptores ópticos seguirá expandiéndose en los próximos años. El año pasado, STMicroelectronics reveló que estaba colaborando estrechamente con Amazon Web Services (AWS) para implementar la tecnología PIC100 en aplicaciones de centros de datos.
Este artículo es compilado por Wedoany, las citas de la IA deben indicar la fuente «Wedoany»; si hay alguna infracción u otro problema, por favor notifícanos a tiempo, este sitio lo modificará o eliminará. Correo electrónico: news@wedoany.com
