es.wedoany.com Noticia: El 30 de julio, según informó Samsung Electronics, se espera que el proyecto de la segunda planta de fundición de obleas que la empresa construirá en Taylor, Texas, EE. UU., comience a finales de este año.
Ese mismo día, Samsung Electronics celebró una conferencia telefónica sobre resultados financieros, donde presentó su plan de desarrollo empresarial para la segunda mitad del año. La compañía señaló que la capacidad de producción de procesos avanzados de las fundiciones actualmente no puede seguir el ritmo del crecimiento de la demanda. La construcción de la primera planta de fundición en Taylor, EE. UU., avanza de manera ordenada hacia su objetivo de iniciar operaciones en 2026. La empresa se está preparando para que el proyecto de la segunda planta de fundición en Taylor comience a finales de este año, y se espera que entre en funcionamiento en 2030 para satisfacer la creciente demanda.
Samsung Electronics pronostica que la escasez de oferta de chips de memoria se agravará el próximo año, ya que los proveedores de servicios en la nube a gran escala aumentarán sus inversiones en inteligencia artificial (IA) e infraestructura, impulsando un mayor crecimiento de la demanda de servidores, unidades de estado sólido y memoria de alto ancho de banda (HBM). Samsung indicó que ya ha firmado contratos con cinco de los mayores centros de datos del mundo, y las negociaciones con otros cinco grandes clientes relacionados con la IA están en su fase final. Según las estimaciones del sector, los "cinco mayores centros de datos" mencionados por Samsung se refieren a Amazon Web Services, Microsoft, Google, Meta y Oracle.
Samsung pronostica que las ventas de memoria de alto ancho de banda de sexta generación (HBM4) en el tercer trimestre aumentarán más del doble en comparación trimestral, y que en la segunda mitad del año, las ventas de HBM4 representarán más del 60% de las ventas totales de HBM. La compañía propuso aumentar su participación de mercado global de HBM en la segunda mitad del año hasta un nivel comparable al de la memoria dinámica de acceso aleatorio síncrona (DRAM). En el primer trimestre de este año, la participación de mercado global de DRAM de Samsung Electronics fue del 38%.
