La plataforma tecnológica de DRAM de quinta generación de Changxin Technology de China entra oficialmente en producción en serie; la producción por oblea aumenta más del 50%

es.wedoany.com Noticia: El 20 de septiembre, en la Conferencia Mundial de Manufactura 2026, Changxin Technology anunció la producción en serie oficial de su plataforma tecnológica de quinta generación. La compañía reveló que esta plataforma reduce el semi-paso de la región activa de la matriz de memoria a 11,95 nanómetros, alcanza una relación de aspecto de profundidad-anchura de la capacitancia de memoria de 45:1 y reduce la altura de la región central de energía a 6762 nanómetros; tras el aumento de la densidad de almacenamiento, la producción por oblea individual bajo las mismas condiciones supera en más del 50% a la de la plataforma de generación anterior.

En julio de este año, Changxin Technology todavía catalogaba la plataforma tecnológica de proceso de quinta generación como un proyecto de investigación y desarrollo en su reunión de intercambio con inversores tras la salida a bolsa, y en ese momento reveló que la plataforma adoptaba una tecnología de múltiple exposición optimizada, cuyo objetivo principal era seguir aumentando la densidad de almacenamiento y el rendimiento de la matriz. El anuncio de producción en serie oficial en la Conferencia Mundial de Manufactura marca la transición de esta plataforma de la fase de investigación y desarrollo a la fase de producción.

Changxin Technology ya había completado previamente la producción en serie de las plataformas tecnológicas de proceso de primera a cuarta generación, entre las cuales la plataforma de cuarta generación ya se utilizaba en productos como DDR5 y LPDDR5/5X. El informe semestral de 2026 de la compañía muestra que la plataforma de proceso de cuarta generación emplea transistores de control de alto rendimiento y baja fuga, diversas deposiciones de película fina refinadas y un proceso de limpieza mejorado, y ya ha entrado en la fase de producción en serie; la plataforma de quinta generación adopta además una tecnología de múltiple exposición optimizada.

El producto de 24GB LPDDR5X desarrollado sobre la base de la plataforma de quinta generación ya ha entrado en producción en serie oficial y ha comenzado a incorporarse a teléfonos móviles insignia de gama alta de fabricantes nacionales. Los productos LPDDR5X actuales de Changxin Technology cubren capacidades de 12GB, 16GB y 24GB, entre otros; anteriormente ya se logró la producción en serie de los productos de 8533Mbps y 9600Mbps, y el producto de 10667Mbps también ha iniciado el envío de muestras a clientes.

En el segmento de productos de almacenamiento móvil, Changxin Technology también está impulsando la producción en serie de productos de generaciones superiores. La compañía anunció el 7 de septiembre que su LPDDR6 desarrollado de forma independiente ya ha logrado la producción en serie y comercialización; los primeros productos adoptan una sola partícula de 16Gb y una capacidad de encapsulado de 16GB, alcanzan una velocidad de transmisión máxima de 12800Mbps y ya están integrados en teléfonos móviles insignia.

El informe semestral de 2026 de Changxin Technology muestra que los productos DRAM de la compañía cubren actualmente mercados como dispositivos móviles, servidores y computadoras personales, entre los cuales LPDDR5/5X ya ha entrado en las cadenas de suministro de marcas de terminales como Xiaomi y Transsion, mientras que DDR5 se orienta principalmente al mercado de servidores y computadoras personales. Tras la producción en serie de la plataforma tecnológica de quinta generación, la compañía seguirá impulsando la introducción del proceso en productos de alta densidad como LPDDR5X, LPDDR6 y DDR5.