es.wedoany.com Noticia: El fabricante de semiconductores Nexperia anuncia la expansión de su cartera de transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de alta potencia de grado industrial de 650 V, con la incorporación de tres nuevas variantes de 35 mΩ, 50 mΩ y 70 mΩ, todas disponibles en los encapsulados estándar de la industria TO-247-3, TO-247-4, TOLL y TOLT. Esta serie de dispositivos está dirigida principalmente a aplicaciones con exigentes requisitos de conversión de potencia, como fuentes de alimentación para centros de datos y telecomunicaciones, sistemas de energía renovable, almacenamiento en baterías (BESS) y accionamientos y automatización industrial.
El contexto de mercado que impulsa esta expansión incluye: el rápido crecimiento de la informática con IA, que eleva los requisitos de potencia de los bastidores de servidores de menos de 3 kW a niveles de 5–12 kW; y la tendencia hacia la electrificación industrial y las energías renovables, que exige mayores frecuencias de conmutación y eficiencia. En este escenario, la tecnología de banda ancha, representada por el GaN, se considera una vía clave para lograr una mayor eficiencia, un tamaño de sistema más reducido y una mejor gestión térmica en las arquitecturas de conversión de potencia de próxima generación.
Andrea Bricconi, vicepresidente y director del grupo de productos GaN de Nexperia, afirmó que la transición hacia semiconductores de potencia de banda ancha se está acelerando en aplicaciones industriales, energéticas y de infraestructura para IA, y que la empresa está comprometida a hacer que la tecnología GaN sea más accesible y escalable para los diseñadores de aplicaciones de alta potencia. La ampliación de esta cartera de productos es solo el comienzo de su apuesta en el ámbito de la banda ancha.
A nivel de sistema, estos dispositivos GaN superan los límites de rendimiento de las soluciones tradicionales basadas en silicio mediante frecuencias de conmutación más altas y menores pérdidas de conmutación y conducción. Los diseñadores pueden lograr así una mayor densidad de potencia, eficiencia, y reducir los requisitos de refrigeración y el coste total del sistema. Las frecuencias de conmutación más altas también permiten el uso de componentes pasivos y magnéticos más pequeños, lo que favorece arquitecturas de potencia más compactas y escalables.
En una etapa LLC de alta potencia típica de una fuente de alimentación (PSU) para servidores de IA de 10–12 kW, el uso de dispositivos GaN, en comparación con los de silicio, puede lograr una mejora de eficiencia de aproximadamente 0,8–1,2% a plena carga, al mismo tiempo que proporciona un aumento de la densidad de potencia de aproximadamente 40–70% a nivel de etapa. En un accionamiento de motor de alta tensión de 1 kW típico, los dispositivos GaN pueden reducir las pérdidas de potencia del inversor en aproximadamente un 20–25%, logrando una mejora de eficiencia de aproximadamente 1–1,5%, y permitiendo soluciones de gestión térmica más pequeñas y una mayor densidad de potencia general.
Estos dispositivos se basan en la plataforma tecnológica GaN de Nexperia y ofrecen características de conmutación rápida, bajas pérdidas de conmutación, comportamiento dinámico controlado y rendimiento térmico robusto. Están disponibles en múltiples opciones de encapsulado estándar de la industria para optimizar los parámetros de diseño eléctrico y mecánico, facilitando su integración en las arquitecturas de sistemas de potencia existentes.
Los dispositivos de 35 mΩ y 70 mΩ ya están disponibles en encapsulados TOLL, TOLT, TO-247-3 y TO-247-4. El modelo de 50 mΩ está previsto para su lanzamiento en el tercer trimestre de 2026.
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