es.wedoany.com Noticia: SK Hynix ha ajustado el plan de productos para su próxima generación de memoria flash NAND 3D. Su producto de décima generación (V10) adoptará tecnología de apilamiento de 375 capas e introducirá molibdeno (Molybdenum) para reemplazar parte de las películas delgadas de tungsteno en el proceso, con el fin de abordar los desafíos de conexión eléctrica que conlleva un mayor número de capas.
El producto de novena generación (V9) de la compañía ya ha alcanzado 321 capas, siendo actualmente el mayor número de capas apiladas en la producción en masa de NAND flash. El aumento de capas de V9 a V10 es de 54 capas, un incremento relativamente conservador. Según informó el medio surcoreano The Elec, citando fuentes de la industria, SK Hynix también había considerado 400 capas como objetivo para V10, pero redujo el objetivo debido a "dificultades de fabricación". En comparación, el producto de décima generación (V10) de su competidor Samsung pasa de 286 capas (V9) a un salto significativo hasta las 4xx capas, estimado en alrededor de 430 capas.
A medida que aumenta el número de capas apiladas de celdas de memoria, la complejidad de las conexiones eléctricas se incrementa. En la estructura de 375 capas, SK Hynix utiliza molibdeno para reemplazar parte de las películas delgadas de tungsteno en las líneas de palabra (word line). El ancho de los conductores se reduce continuamente, lo que aumenta la resistencia del tungsteno y afecta la transmisión de señales; el molibdeno, al tener menor resistencia, favorece la mejora de las velocidades de lectura y escritura. Además, el molibdeno no requiere una capa de barrera (barrier layer) adicional durante la deposición, a diferencia del tungsteno, y puede formar una película directamente, lo que ayuda a lograr una estructura de mayor densidad. Sin embargo, el informe señala que el nuevo proceso exige un alto nivel técnico en su implementación.
Según la hoja de ruta de SK Hynix, fuentes de la industria indican que las próximas generaciones de productos (presumiblemente V11 y V12) aumentarán aún más el número de capas apiladas, alcanzando 480 y 608 capas respectivamente. En cuanto a Samsung, recientemente logró con éxito un apilamiento de 900 capas en pruebas preliminares, pero este resultado aún está lejos de la producción en masa.
En cuanto al cronograma de producción en masa, la información recopilada por la firma de investigación de mercado TrendForce muestra que el NAND de 375 capas de SK Hynix se espera que entre en producción en masa a finales de 2026; el NAND de 4xx capas de Samsung está planeado para la segunda mitad de 2026; y el BiCS10 (332 capas) de Kioxia podría comenzar su producción en masa dentro del año fiscal 2026 o a principios de 2027. A pesar de tener un número de capas relativamente menor, el BiCS10, presentado por Kioxia junto con su socio Sandisk en la ISSCC, alcanzó la mayor densidad de almacenamiento en ese momento, con casi 5 GB/mm².
Mientras los principales competidores avanzan sucesivamente hacia sus productos de décima generación, Micron se mantiene en silencio. Después de G9 (276 capas), Micron planea lanzar G10, pero hay muy poca información pública al respecto. Según un artículo de EE World, se espera que G10 adopte la tecnología de "nodo de almacenamiento confinado (Confined SN)" para reducir la interferencia entre celdas, mejorando así la vida útil de las celdas de memoria y reduciendo el tiempo de escritura en aproximadamente un 10%.
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