es.wedoany.com Noticia: La empresa especializada en semiconductores de defensa sin fábrica, Parapia, anunció el día 15 que ha desarrollado de forma independiente, utilizando tecnología de autoproducción pura, los componentes centrales del módulo transceptor (TRM) de banda X: el circuito integrado de microondas (MMIC) de amplificador de potencia de nitruro de galio (GaN) de 15 W y el MMIC de amplificador de bajo ruido (LNA) de arseniuro de galio (GaAs) de auto-polarización de 2 etapas.

El TRM es el módulo central que conecta los miles de elementos de antena que componen un radar de matriz de exploración electrónica activa (AESA) y se encarga de transmitir y recibir señales. Su ruta de transmisión incorpora un MMIC de amplificador de potencia (HPA) que amplifica la señal y la envía a la antena, mientras que su ruta de recepción incorpora un MMIC de LNA que amplifica las señales débiles recibidas con el mínimo ruido.

Estos dos tipos de MMIC son los componentes semiconductores más importantes que determinan la potencia de salida, la sensibilidad del TRM e incluso la distancia de detección y la eficiencia general del radar. Anteriormente, los productos de la empresa U se adoptaban ampliamente en el mercado global.

Para lograr un rendimiento óptimo, el amplificador de potencia requiere el uso de GaN, y el amplificador de bajo ruido, GaAs, entre otros procesos de semiconductores compuestos diferentes. Satisfacer simultáneamente los problemas de disipación de calor y eficiencia causados por la alta potencia, así como un factor de ruido extremadamente bajo, hace que el diseño sea extremadamente difícil.

El MMIC de amplificador de potencia para TRM de banda X desarrollado esta vez por Parapia se basa en el proceso GaN HEMT. Es un amplificador de potencia de alta potencia de 15 W, diseñado para ser compatible con el producto de referencia de la empresa U, lo que permite su sustitución directa sin modificar los circuitos del sistema existente.

La eficiencia de potencia añadida (PAE) es un indicador clave del amplificador de potencia y recibe atención directa. La eficiencia es un parámetro central que afecta la generación de calor, el consumo de energía del TRM y la carga general de enfriamiento del sistema de radar. En las mismas condiciones de salida, el MMIC desarrollado esta vez ha mejorado la PAE de aproximadamente el 40% del producto de referencia de la empresa U al 45%. Esta mejora se logró manteniendo otros indicadores principales, como la potencia de salida y la ganancia, en niveles equivalentes a los de los productos de la competencia.

El MMIC de LNA desarrollado simultáneamente adopta una estructura de dos etapas basada en el proceso GaAs pHEMT, logrando un bajo factor de ruido y una ganancia suficiente, y también es compatible pin a pin con los productos de la competencia de la empresa U.

La mayor ventaja de este LNA reside en su diseño de auto-polarización. Los LNA de GaAs generales requieren la aplicación de una tensión de puerta negativa y una tensión de drenaje positiva por separado para funcionar, además de gestionar la secuencia de encendido de la fuente de alimentación, lo que los hace algo engorrosos de usar. El LNA de auto-polarización de Parapia puede funcionar directamente con una sola fuente de alimentación, sin necesidad de circuitos adicionales de generación de tensión negativa o circuitos de secuencia de polarización, simplificando el diseño del TRM y del sistema, y reduciendo la cantidad de componentes y el costo.

El profesor Yang Young-gu, representante legal de Parapia, declaró que, tras el FEM, ahora dominan el amplificador de potencia y el LNA, que equivalen al corazón del TRM, gracias a la tecnología de diseño de autoproducción, dando un paso más hacia la autoproducción completa de los semiconductores centrales del extremo transceptor. Con esto, ahora cuentan con una línea de productos completa que cubre las principales líneas de productos de banda X. Enfatizó que superar a los competidores globales en el indicador de eficiencia más importante demuestra la capacidad de diseño, y que ampliarán la línea de productos a las bandas Ku y Ka, contribuyendo a la autosuficiencia de la tecnología de semiconductores para defensa y aeroespacial.

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