es.wedoany.com Noticia: El 18 de junio, SK Hynix de Corea del Sur anunció que ha suministrado a sus principales clientes muestras de HBM4E apilado de 12 capas. Este producto es una DRAM de ultra alto rendimiento de próxima generación para aplicaciones de inteligencia artificial, perteneciente a una versión mejorada de memoria de alto ancho de banda, utilizada principalmente en chips aceleradores de IA y escenarios de computación en centros de datos a gran escala.
HBM4E es un producto mejorado después de HBM4, desarrollado para satisfacer mayores rendimientos de datos, menor consumo de energía y requisitos de disipación de calor más exigentes. La muestra de 12 capas suministrada por SK Hynix aumenta la densidad de almacenamiento mediante el empaquetado vertical de múltiples capas de DRAM en una sola pila, con el objetivo de satisfacer la demanda de memoria de alto ancho de banda para inteligencia artificial generativa, entrenamiento de modelos grandes y computación de alto rendimiento.
En cuanto a los parámetros de rendimiento, la velocidad de procesamiento de datos de la muestra HBM4E de 12 capas puede alcanzar hasta 16 Gbps por pin. En comparación con productos anteriores, la eficiencia energética de este producto mejora en más del 20%, lo que ayuda a reducir la presión de consumo de energía de los servidores de IA durante operaciones de alta carga. Para los centros de datos de IA, el rendimiento de la memoria de alto ancho de banda no solo afecta la velocidad de intercambio de datos del chip, sino que también está directamente relacionado con la eficiencia energética general del sistema, el diseño de disipación de calor y los costos de implementación del sistema.
SK Hynix también continúa utilizando y fortaleciendo las tecnologías relacionadas con MR-MUF en el proceso de empaquetado. Este proceso mejora la estabilidad estructural de las capas de chips múltiples y mejora el rendimiento de disipación de calor al llenar materiales protectores entre los chips apilados. Según la información de noticias actual en coreano, la resistencia térmica de este producto se reduce aproximadamente un 17% en comparación con HBM4, lo que es de gran importancia para el funcionamiento estable de productos apilados de alta densidad de 12 capas.
Este suministro de muestras significa que HBM4E ha entrado en la fase de verificación con los clientes. Para la memoria de IA, la entrega de muestras es solo un paso importante antes de la producción en masa, y posteriormente se requieren pruebas del cliente, optimización del rendimiento, adaptación de plataformas y preparación para el suministro en volumen. SK Hynix no ha revelado la lista específica de clientes, pero sus productos HBM han estado dirigidos durante mucho tiempo a clientes de chips de IA y centros de datos, y el progreso de la verificación del cliente afectará directamente el ritmo de producción en masa posterior.
La competencia en el mercado de HBM se está acelerando. Samsung Electronics ya anunció a finales de mayo que suministraría muestras de HBM4E de 12 capas a sus principales clientes globales, y Micron también está avanzando en el diseño de productos de memoria de alto ancho de banda de próxima generación. El inicio del suministro de muestras de HBM4E de 12 capas por parte de SK Hynix hará que la competencia entre los dos principales fabricantes de almacenamiento de Corea del Sur en la ventana de certificación de clientes y producción en masa de la próxima generación de memoria de IA se adelante aún más.
Lo que se debe observar a continuación es si SK Hynix puede completar la optimización del rendimiento según el ritmo de verificación del cliente y promover que HBM4E entre en suministro a gran escala alrededor de 2027. A medida que los servidores de IA continúan aumentando los requisitos de ancho de banda, capacidad, consumo de energía y disipación de calor, el progreso de la producción en masa de HBM4E de 12 capas se convertirá en un punto clave para evaluar el panorama de suministro de la próxima generación de memoria de IA.
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