es.wedoany.com Noticia: Samsung Electronics obtuvo el título de mejor artículo en el simposio VLSI 2026 gracias a su tecnología de transistores apilados verticalmente, logrando el paso de puerta más pequeño de la industria para este tipo de transistores.

Los transistores son dispositivos que amplifican o controlan señales eléctricas y se consideran clave para determinar el rendimiento de los semiconductores. Los procesos tradicionales han aumentado progresivamente el número de canales de corriente de 1 a 3, y luego de 3 a 4, para impulsar el avance tecnológico.

Esta tecnología modifica drásticamente la estructura de los transistores, apilando verticalmente aquellos que originalmente estaban dispuestos de forma plana. Esta estructura ya se había introducido en el ámbito de los semiconductores de memoria, como V-NAND en NAND flash y la memoria de alto ancho de banda (HBM) en DRAM, superando las limitaciones de área mediante el apilamiento, y ahora se espera que se aplique en semiconductores de sistema. Tras el apilamiento vertical, el área ocupada por los transistores se reduce a la mitad, y la densidad de integración por unidad de área se duplica teóricamente, lo que significa que se pueden colocar el doble de transistores en una oblea del mismo tamaño.

Antes de la publicación del artículo, el paso de puerta más pequeño de la industria para transistores apilados verticalmente era de 48 nanómetros. El equipo de investigación de Samsung lo redujo a 42 nanómetros, logrando un proceso más fino. La eficiencia energética es directamente proporcional al número de transistores por unidad de área. Dado que la estructura de apilamiento vertical duplica la cantidad de transistores, la eficiencia energética también se duplica. Mientras que los procesos semiconductores tradicionales suelen mejorar el rendimiento en aproximadamente un 15% por generación, la estructura de apilamiento vertical, al duplicar el número de transistores, puede teóricamente aumentar el rendimiento en un 100%. Este artículo obtuvo una puntuación de 8,29 sobre 10 en el simposio VLSI, situándose entre los primeros puestos de más de 1000 artículos presentados, abriendo un nuevo camino para la próxima generación de semiconductores lógicos.

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