es.wedoany.com Noticia: El Instituto de Maquinaria de Corea (KIMM) ha desarrollado por primera vez una tecnología capaz de analizar y controlar semiconductores bidimensionales a nivel atómico (de 1 a 2 nanómetros) utilizando inteligencia artificial (IA). Esta tecnología tiene como objetivo mejorar significativamente la reproducibilidad y productividad del proceso.
El Instituto de Maquinaria de Corea anunció el día 17 que el equipo de investigación del Centro de Investigación de Equipos de Semiconductores, liderado por el investigador principal Kim Hyung-woo, ha desarrollado procesos de síntesis y grabado para semiconductores bidimensionales de próxima generación (MoS₂, WS₂) de 6 pulgadas utilizando equipos PECVD (deposición química de vapor mejorada por plasma) y RIE (grabado por iones reactivos) basados en plasma de baja temperatura, y ha integrado con éxito estos procesos en un sistema inteligente basado en IA.
Durante el proceso, el equipo de investigación midió en tiempo real los cambios en la luz y la masa de gas generados, y los analizó mediante aprendizaje automático para predecir el estado del proceso. El equipo también utilizó diversos equipos de diagnóstico en tiempo real (OES, ToF-MS, QMS, etc.) para obtener datos multimodales de series temporales, y los aplicó a modelos de aprendizaje automático, logrando predecir con precisión el grosor del semiconductor a nivel atómico.
Esta tecnología está diseñada basándose en procesos de plasma de baja temperatura, lo que permite una compatibilidad efectiva con los equipos de producción existentes. Logra el grabado a nivel atómico mediante un solo proceso, garantizando al mismo tiempo la eficiencia y productividad del proceso. El investigador principal Kim Hyung-woo señaló que es significativo lograr el proceso de semiconductores bidimensionales a escala de obleas de 6 pulgadas a nivel atómico en un entorno de baja temperatura. Planea desarrollar esta tecnología en el futuro como una tecnología central para la automatización e inteligencia de los procesos de fabricación de semiconductores de próxima generación.
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