es.wedoany.com Noticia: El 24 de junio, la empresa estadounidense de chips de almacenamiento Micron Technology indicó que el desarrollo de los nodos de próxima generación de DRAM y NAND avanza favorablemente, y se espera que comience la producción en masa en la segunda mitad de 2027. La compañía también reveló que la velocidad de aumento de producción del producto HBM4 de 12 capas es actualmente el doble que la de la versión de 12 capas de HBM3E, y que ya ha acumulado ingresos por más de 1.000 millones de dólares de HBM4, lo que demuestra que sus productos de almacenamiento para IA están entrando en una fase de comercialización a mayor escala.
Los nodos actuales 1γ DRAM y G9 NAND de Micron Technology de EE. UU. continúan aumentando su producción, y la empresa los considera la plataforma de proceso central en su cartera actual de productos de almacenamiento. El plan de producción en masa de los nodos de próxima generación de DRAM y NAND para la segunda mitad de 2027 significa que la compañía ya ha fijado con antelación el ritmo de actualización tecnológica, la disposición de capacidad y la entrega a clientes para los próximos dos años. Para las empresas de chips de almacenamiento, la iteración de nodos no solo afecta la capacidad y el consumo de energía de un solo chip, sino que también influye en la utilización de obleas, la velocidad de mejora del rendimiento, el costo por bit y la competitividad de la cartera de productos posterior.
HBM4 es uno de los productos de almacenamiento de alta gama más destacados de Micron Technology de EE. UU. En comparación con la DRAM convencional, la memoria de alto ancho de banda requiere apilamiento multicapa, empaquetado avanzado y estructuras de interconexión más complejas para lograr un mayor rendimiento de datos, y está dirigida principalmente a aceleradores de IA, computación de alto rendimiento y servidores de centros de datos. Micron Technology de EE. UU. reveló que la velocidad de aumento de producción del producto HBM4 de 12 capas es el doble que la de la versión de 12 capas de HBM3E, lo que indica un progreso más rápido en la fabricación de apilamiento multicapa, procesos de empaquetado, control de rendimiento y validación con clientes.
Los ingresos de más de 1.000 millones de dólares de HBM4 también indican que este producto ya no se limita a la introducción de muestras o la validación a pequeña escala. Los productos HBM generalmente requieren una verificación conjunta con chips de IA, plataformas de servidores y clientes de sistemas. Una vez que se alcanza la fase de generación de ingresos, significa que ya han superado las evaluaciones de rendimiento, consumo de energía, fiabilidad y cadena de suministro de algunos clientes. A medida que la demanda de ancho de banda y capacidad de almacenamiento en servidores de IA sigue aumentando, HBM está pasando de ser un componente auxiliar de alta gama a un eslabón clave de suministro en la infraestructura de IA.
Los avances en nodos y los datos de HBM4 revelados por Micron Technology de EE. UU. también reflejan que el enfoque de la competencia en la industria del almacenamiento está cambiando. En el pasado, la competencia en DRAM y NAND giraba más en torno a los ciclos de precios, la expansión de capacidad y la reducción de costos; impulsada por la demanda de centros de datos de IA, los clientes ahora se centran más en el alto ancho de banda, la alta capacidad, el bajo consumo de energía y la capacidad de suministro estable. Si los nodos de próxima generación de DRAM y NAND pueden producirse en masa según lo previsto en la segunda mitad de 2027 afectará el ritmo de los productos de Micron Technology de EE. UU. en mercados como servidores de IA, almacenamiento empresarial, dispositivos terminales y electrónica automotriz.
Micron Technology también enfrenta la doble presión de la construcción de capacidad y la transición tecnológica. La introducción de nodos avanzados requiere más espacio de sala limpia, mayor gasto de capital y un control de proceso más complejo, y los productos HBM consumirán más recursos de empaquetado avanzado. Para seguir expandiendo el suministro de HBM4 y, al mismo tiempo, impulsar la producción en masa de los nodos de próxima generación de DRAM y NAND, la empresa necesita mantener una conexión estable entre la fabricación de obleas, las pruebas de empaquetado, la validación con clientes y los acuerdos de suministro a largo plazo. En el futuro, será necesario prestar atención a la generación tecnológica específica del nodo de producción en masa de Micron Technology de EE. UU. en 2027, el alcance de la introducción de clientes de HBM4 y los cambios en la proporción de ingresos de productos de almacenamiento de alta gama.
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