es.wedoany.com Noticia: Shanghái ha establecido una jerarquía completa de fundición de obleas que abarca lógica avanzada, analógica madura, potencia automotriz y semiconductores de tercera generación, convirtiéndose en el núcleo de la fabricación de chips en China. Esta distribución se concentra principalmente en el Parque Científico de Zhangjiang en Pudong, el Puerto del Chip Oriental en la Nueva Área de Lingang, la Zona de Desarrollo de Caohejing en Xuhui, el Distrito de Jiading y el Distrito de Songjiang, cubriendo líneas de producción desde procesos avanzados de 14 nanómetros hasta tecnologías maduras especializadas.
En el Parque Científico de Zhangjiang en Pudong, la planta de SMIC en Zhangjiang, Shanghái, opera líneas Fab de 8 y 12 pulgadas, con procesos que cubren desde 0,35 micrómetros hasta 90 nanómetros para dispositivos analógicos y de potencia maduros, con una capacidad de producción mensual de 135.000 obleas. Las tecnologías incluyen CMOS, BCD, potencia de alto voltaje y RF SOI, sirviendo a la fundición para consumo, industria y automoción. SMIC Sur, como la Fab de procesos avanzados de SMIC, opera una línea de 12 pulgadas y es la principal línea avanzada nacional para el proceso FinFET de 14 nanómetros, con un rendimiento estable superior al 95%, dedicándose principalmente a la fundición de chips lógicos, potencia de IA y SoC para teléfonos móviles. La Fab de 12 pulgadas de Huali Microelectronics (Grupo Hua Hong) se centra en procesos maduros de lógica, memoria y RF de 65, 55 y 40 nanómetros, con una capacidad mensual de 38.000 obleas, especializándose en MCU, NOR Flash y sensores de imagen. Las fábricas uno, dos y tres de Hua Hong Grace Semiconductor forman un clúster de tres Fabs de 8 pulgadas, con procesos entre 0,11 y 0,35 micrómetros, que abarcan tecnologías BCD, potencia, IGBT y RF, con una capacidad total mensual de 178.000 obleas, siendo la base nacional más grande de tecnologías especializadas de 8 pulgadas. Shanghai Xinjinxin Microelectronics opera Fabs de 6 y 8 pulgadas, utilizando procesos BiCMOS, BCD y TVS para chips analógicos, con una capacidad mensual de 10.000 obleas, principalmente para fundición de gestión de energía y circuitos integrados para electrodomésticos. El Centro de Investigación y Desarrollo de Circuitos Integrados de Shanghái (ICRD) opera una Fab abierta de 12 pulgadas para desarrollo de procesos, destinada a la verificación de prototipos y pruebas de materiales y equipos, sin realizar fundición comercial a gran escala. El Puerto del Chip Oriental en la Nueva Área de Lingang, como centro de Fabs de potencia y automoción, alberga múltiples proyectos importantes. SMIC Oriental (SMIC Lingang Fab9) planea una inversión total de más de 50.000 millones de yuanes para construir una línea de 12 pulgadas, centrada en procesos maduros especializados de 28 nanómetros, incluyendo BCD, RF y MCU automotriz, con una capacidad total planificada de 100.000 obleas por mes. La primera fase de 20.000 obleas por mes ya comenzó la producción en masa a finales de 2024, y la segunda fase está prevista para iniciar producción en la segunda mitad de 2026. La planta de GTA Semiconductor en Lingang opera líneas de 6, 8 y 12 pulgadas, así como una línea dedicada a SiC, con procesos que abarcan IGBT automotriz, MOS, PMIC, SiC MOS/JBS y MEMS, con una capacidad total equivalente a 8 pulgadas de 300.000 obleas por mes, siendo la Fab de potencia automotriz líder en China, que respalda la 汽车产业" target="_blank">industria de vehículos de nueva energía. El importante proyecto en construcción, Xingang Integration, construirá una nueva Fab de 12 pulgadas con un capital registrado de 5.500 millones de dólares, con procesos fijados entre 55 y 28 nanómetros, que involucran chips analógicos, de potencia y de control industrial, con planes de comenzar la construcción en el tercer trimestre de 2026 y entregar la producción a finales de 2027. El proyecto de Nexchip en Lingang también está en construcción, planeando una Fab especializada de 12 pulgadas para controladores de pantalla y sensores de imagen CIS, para complementar la capacidad de fabricación de chips para pantallas.
En la Zona de Desarrollo de Caohejing en Xuhui, la planta de GTA Semiconductor de 8 pulgadas en Caohejing opera una Fab de potencia madura con tecnología BCD de alto voltaje. En 2026, se agregarán dos nuevas líneas de 8 pulgadas, junto con una línea piloto de SiC, principalmente para servir a los mercados de electrodomésticos, fuentes de alimentación industriales y dispositivos de potencia automotriz. En el Distrito de Jiading, el Instituto de Microtecnología Industrial de Shanghái (SITRI) opera una línea piloto de producción en masa de MEMS de 8 pulgadas, especializada en sensores MEMS, microfluidos y chips ópticos, ofreciendo servicios de desarrollo de procesos y fundición de lotes pequeños y medianos para instituciones de investigación y startups. En el Distrito de Songjiang, la línea Fab-Lite de GalaxyCore se centra en la fabricación frontal especializada de sensores de imagen CIS, que comenzó la producción en marzo de 2026 para servir a sus propios chips de sensores de imagen CMOS.
Otras Fabs especializadas de compuestos y segmentos en Shanghái incluyen la fabricación de obleas de proceso dedicado para sensores de imagen de Galaxy Semiconductor, y las Fabs de GaAs de 4 y 6 pulgadas de Xinwei Semiconductor para RF, principalmente para la fundición de chips amplificadores de potencia RF 5G. En general, el Parque Científico de Zhangjiang concentra procesos avanzados de 14 nanómetros y líneas de fundición de lógica y analógica de propósito general de 8 y 12 pulgadas, formando el clúster líder nacional de fabricación de chips. El Puerto del Chip Oriental en Lingang se posiciona en procesos maduros de 28 nanómetros, potencia automotriz y semiconductores de tercera generación SiC, siendo el área central para la nueva capacidad de producción de Shanghái. Caohejing, Jiading y Songjiang, a través de tecnologías especializadas como MEMS, controladores de pantalla y compuestos de RF, forman un diseño diferenciado. Esta estructura industrial perfecciona una jerarquía multidimensional de fundición de obleas que combina lógica avanzada con procesamiento analógico maduro, potencia automotriz y semiconductores de tercera generación, construyendo el núcleo de la sustitución nacional.
