es.wedoany.com Noticia: La división de fundición de obleas de Intel presentó la tecnología de empaquetado avanzado de próxima generación EMIB-T (Tecnología de Puente de Interconexión Multichip Embebido con Silicio Through-Silicon Via) en la Conferencia de Componentes y Tecnología Electrónica (ECTC) del IEEE 2026. Esta tecnología introduce silicio through-silicon vias (TSV) sobre la base de EMIB para lograr una alimentación vertical, superando el cuello de botella de transmisión de potencia del empaquetado tradicional. Intel indicó que esta tecnología está diseñada específicamente para el ámbito de centros de datos, ofreciendo mayor flexibilidad, menor volumen y menor riesgo de fabricación en comparación con la tecnología de empaquetado CoWoS de TSMC.
El objetivo fundamental de la tecnología EMIB es proporcionar interconexiones de alta velocidad y rentables, conectando múltiples chiplets. Actualmente, EMIB se divide principalmente en dos tipos: EMIB-M y EMIB-T. EMIB-M se centra en la interconexión eficiente, integrando condensadores de metal-aislante-metal (MIM) dentro del puente, que pueden filtrar eficazmente el ruido de corriente para garantizar una alimentación estable del chip. Esta solución ha estado en producción en masa desde 2017.
EMIB-T añade la tecnología TSV sobre EMIB-M, abriendo canales de alimentación verticales dentro del puente, permitiendo que la corriente alimente los chips apilados superiores con una ruta más corta, mejorando la eficiencia de la alimentación. Esta arquitectura combina la densidad de interconexión de paso fino 2.5D con las ventajas de expansión vertical de TSV, diseñada específicamente para chips de IA de alto rendimiento.
Intel demostró múltiples capacidades de la plataforma EMIB-T. El paso de los bumps de la primera capa de interconexión (FLI) se redujo a 25 micrómetros, el tamaño del empaquetado se puede expandir a más de 120×120 milímetros, y un solo empaquetado puede albergar chips de cómputo y almacenamiento con un área superior a 9 veces la retícula. Esta arquitectura soporta memoria HBM4E de más de 12 Gb/s, y los condensadores MIM de alta densidad integrados dentro del chip puente alcanzan una densidad de 500 nF/mm², reduciendo la impedancia de CA de la red de alimentación en más del 82%. Las rutas de señal se optimizan y colocan en capas de enrutamiento con menos interferencias, garantizando la calidad de transmisión de alta velocidad.
En cuanto a la integración de chiplets SRAM 3D de alto rendimiento, mediante la plataforma de puente embebido de tipo fan-out (Fan-Out Embedded Bridge), Intel demostró la integración vertical 3D de chiplets SRAM. En condiciones de ejecución de lectura/escritura 50:50, se alcanzó un ancho de banda de 265 GB/s/mm², con un consumo de energía por bit inferior a 0.24 pJ/bit. El chip de memoria embebido se conecta con el chip SoC superior a través de una matriz densa de microbumps con un paso de 25 micrómetros, y el consumo de energía de la interconexión entre chips representa menos del 15%. A frecuencias más bajas, el consumo de energía por bit puede reducirse aún más a 0.15 pJ/bit, con un ancho de banda de lectura/escritura de 166 GB/s/mm².
Para satisfacer la demanda de potencia de cómputo de IA, EMIB-T tiene el potencial de expandirse a empaquetados ultra grandes de 240×240 milímetros, pudiendo integrar múltiples chips como ASIC, HBM y E/S. Intel también mostró innovaciones en materiales y procesos para superar los desafíos de fiabilidad durante el moldeado de empaquetados de compuestos de chips ultra grandes.
Actualmente, EMIB-T puede albergar chips de silicio con un área superior a 9 veces la retícula dentro de empaquetados de más de 120×120 milímetros, incluyendo 12 HBM, 4 chiplets densos y más de 20 puentes. Intel planea expandir la escala a más de 12 veces el área de la retícula (más de 120×180 milímetros) para 2028, con capacidad para albergar más de 24 chips HBM y 38 puentes EMIB-T. En comparación, TSMC planea lanzar un empaquetado CoWoS de 14 veces el tamaño de la retícula, con capacidad para albergar hasta 20 HBM, en el mismo año.
Intel enfatizó que la ventaja clave de EMIB-T radica en su independencia de IP y nodos de proceso, permitiendo a los clientes empaquetar libremente chips fabricados con diferentes arquitecturas, diferentes fundiciones de terceros o nodos de proceso internos de Intel, simplificando así la cadena de suministro y construyendo sistemas informáticos de próxima generación con alto ancho de banda y excelente escalabilidad.
