es.wedoany.com Noticia: Navitas Semiconductor y Magnachip Semiconductor Corporation han anunciado una alianza estratégica mediante la cual Magnachip obtendrá la licencia de la tecnología GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) de Navitas, con el objetivo de acelerar la aplicación de la tecnología de carburo de silicio (SiC) en los mercados de energía de alta tensión (HV) y extra alta tensión (UHV).
Según el acuerdo, la licencia obtenida por Magnachip abarca la tecnología GeneSiC para niveles de tensión de 1200 V, 2300 V, 3300 V y superiores. Magnachip planea desarrollar productos para aplicaciones de conversión de energía de próxima generación basándose en la plataforma madura de dispositivos SiC de Navitas. Navitas proporcionará soporte de cadena de suministro y materiales de SiC para facilitar una entrada más rápida al mercado. Ambas partes estiman que, tras la transferencia tecnológica, certificación e internalización en las instalaciones de fabricación de Magnachip en Corea, esta colaboración acelerará la incursión de Magnachip en el ámbito del SiC, manteniendo al mismo tiempo la continuidad con la base tecnológica y de materiales existente de Navitas.
Se espera que la tecnología licenciada respalde aplicaciones de próxima generación, incluyendo infraestructura energética y de redes eléctricas, almacenamiento de energía, electrificación industrial, automoción y otros sistemas de alta potencia. Navitas y Magnachip señalaron que la tecnología SiC impacta directamente en áreas como vehículos eléctricos, energías renovables, centros de datos de inteligencia artificial y aeroespacial, pero el alcance de la colaboración entre ambas empresas no se limita a ello. En un comunicado de prensa, las partes indicaron que el alcance completo de la colaboración "se detallará en una fecha posterior".
Chris Allexandre, presidente y director ejecutivo de Navitas, afirmó que esta alianza estratégica refleja la visión a largo plazo de la empresa para expandir las aplicaciones de GeneSiC en los mercados de energía de alta y extra alta tensión. Mediante la concesión de licencias tecnológicas y el apoyo del ecosistema de cadena de suministro y materiales, ambas partes están abriendo un camino para acelerar la expansión de soluciones avanzadas de SiC y fomentar una colaboración más profunda y a largo plazo. Chae Lee, director ejecutivo de Magnachip, señaló que el acuerdo abre importantes oportunidades de nuevo mercado para Magnachip en el ámbito del SiC de alta y extra alta tensión, y que la incorporación de la tecnología GeneSiC complementa su cartera existente de MOSFET y semiconductores de potencia, permitiéndole atender a clientes que requieren soluciones de conversión de energía con mayor eficiencia, mayor capacidad de tensión y mayor fiabilidad.
Navitas Semiconductor se centra en semiconductores de potencia de próxima generación, especialmente en tecnologías de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) de alta tensión, impulsando la innovación en centros de datos de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento, infraestructura energética y de redes eléctricas, y electrificación industrial. Por su parte, Magnachip Semiconductor diseña y fabrica soluciones de plataforma de semiconductores de potencia analógicos y mixtos para los sectores industrial, automotriz, de comunicaciones, consumo y computación. Ambas partes concluyeron que esta colaboración tiene como objetivo acelerar la aplicación de la tecnología de carburo de silicio de alta y extra alta tensión, apoyando aplicaciones de conversión de energía de próxima generación en múltiples mercados de alta potencia mediante la concesión de licencias tecnológicas, soporte de cadena de suministro y certificación tecnológica en la planta de Magnachip en Corea.
