es.wedoany.com Noticia: 12 de junio – La empresa surcoreana de chips de memoria SK Hynix ha completado la verificación de producción en masa de su memoria flash NAND 3D de 375 capas y se prepara para transferir la tecnología relevante a la línea de producción existente de la fábrica M15 en Cheongju, con el objetivo de iniciar la producción en masa dentro del año. Este producto se considera la próxima generación de V10 NAND después de la V9 NAND de 321 capas de SK Hynix, y mejorará aún más la densidad de apilamiento y la capacidad de almacenamiento de la memoria flash NAND.
El apilamiento de 375 capas significa que la fabricación de NAND continúa avanzando hacia estructuras de ultra alta altura. La NAND 3D aumenta la capacidad por unidad de área apilando verticalmente celdas de memoria, pero a medida que aumentan las capas, la dificultad de la estructura de las líneas de palabra, el grabado de canales, la uniformidad de la deposición, el retardo de señal y el control del rendimiento también aumentan simultáneamente. SK Hynix ya ha logrado la producción en masa de NAND de 321 capas; al entrar en las 375 capas, el desafío del proceso ya no es simplemente aumentar el número de capas, sino mantener la velocidad de lectura/escritura, el rendimiento de borrado y la fiabilidad a largo plazo en una estructura de alta densidad. La finalización de la verificación de producción en masa indica que el proceso relevante ya está listo para pasar de la verificación de I+D a la implementación en líneas de producción existentes.
El cambio de material es un avance clave para esta generación de productos. SK Hynix ha reemplazado parcialmente el tungsteno utilizado anteriormente con molibdeno como material de la puerta metálica de las líneas de palabra en su producto de 375 capas. El molibdeno tiene una resistencia menor que el tungsteno en estructuras de líneas de palabra finas, lo que ayuda a mejorar la velocidad de transmisión de señales y optimiza el rendimiento de lectura/escritura y borrado; además, la deposición de molibdeno ya no requiere una capa de barrera adicional, lo que deja más espacio de proceso para apilamientos de mayor densidad. Para la NAND 3D de ultra alta altura, la resistencia, la capacidad de llenado y la complejidad de deposición del material de la línea de palabra afectan directamente el rendimiento del chip y la eficiencia de producción en masa.
Este avance también influirá en el ritmo competitivo de la industria de la memoria. Los servidores de IA, los SSD de nivel empresarial, la electrónica de consumo y los dispositivos periféricos continúan impulsando la demanda de mayor capacidad de almacenamiento, y los fabricantes de NAND necesitan reequilibrar costos, capacidad, velocidad y consumo de energía. Una NAND 3D con más capas ayuda a aumentar la capacidad por chip, reducir el costo por bit y proporcionar una base para SSD de gran capacidad. Si el producto de 375 capas se produce en masa con éxito, SK Hynix continuará acercándose a competidores como Samsung, Micron y Kioxia en la competencia de apilamiento de NAND de alta capa, y también impulsará la actualización de la cadena industrial, incluidos equipos de grabado, equipos de deposición, materiales precursores, equipos de inspección y empaquetado avanzado.
Los próximos puntos de atención se centrarán en el progreso de la transferencia tecnológica a la línea de producción M15 en Cheongju, el momento de inicio de la producción en masa dentro del año, el rendimiento del producto de 375 capas y si este producto ingresará primero al mercado de SSD de consumo o al de almacenamiento empresarial. A medida que los centros de datos de IA y los terminales de alta capacidad continúan impulsando la demanda de almacenamiento, la competencia en NAND se extenderá desde el aumento de capas hasta los sistemas de materiales, los costos de fabricación y la velocidad de introducción de productos. La introducción de molibdeno por parte de SK Hynix para superar el desafío del apilamiento de ultra alta altura indica que la fabricación de chips de memoria está entrando en una nueva fase de avance simultáneo en "mejora estructural + sustitución de materiales".
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