es.wedoany.com Noticia: Mitsubishi Electric Corporation ha presentado muestras de chips desnudos de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de quinta generación, desarrollados específicamente para aplicaciones de sistemas de propulsión en vehículos eléctricos. La compañía planea comenzar a suministrar las muestras a finales de junio, con el objetivo de destinarlas a inversores de tracción y sistemas eAxle en vehículos eléctricos (EV), híbridos enchufables (PHEV) y otras plataformas de vehículos electrificados.
El nuevo producto emplea la tecnología patentada de MOSFET de SiC de tipo zanja de Mitsubishi Electric, diseñada para lograr menores pérdidas de conducción en comparación con la generación anterior. La resistencia de conducción de los productos de quinta generación es aproximadamente un 25% inferior a la de las soluciones actuales, lo que contribuye a mejorar la eficiencia general de conversión de potencia en los sistemas de tracción automotriz.
Una menor resistencia de conducción reduce directamente las pérdidas por conducción en los inversores, mejorando la eficiencia de la transmisión y aprovechando de manera más efectiva la energía de la batería. Los fabricantes de vehículos pueden así aumentar la autonomía, al mismo tiempo que admiten arquitecturas de propulsión más compactas y eficientes.
Mitsubishi Electric señala que los nuevos chips desnudos de MOSFET de SiC están diseñados para respaldar la evolución continua de inversores de alto rendimiento y sistemas eAxle integrados, donde la densidad de potencia y la mejora de la eficiencia siguen siendo objetivos clave de diseño. Estos dispositivos podrían facilitar la miniaturización del sistema y la mejora del rendimiento de potencia, impulsando la transición de la industria hacia vehículos electrificados de mayor eficiencia.
Los avances en los procesos de fabricación buscan minimizar la degradación del rendimiento a largo plazo y reducir las fluctuaciones en parámetros clave, como las pérdidas de potencia y la resistencia de conducción, durante el ciclo de vida del dispositivo. En el entorno automotriz, mantener características eléctricas estables durante un funcionamiento prolongado es especialmente importante debido a los estrictos requisitos de fiabilidad y durabilidad.
Al combinar menores pérdidas con una mayor consistencia y estabilidad a largo plazo, los nuevos MOSFET de SiC están diseñados para mejorar la durabilidad y el rendimiento operativo de los inversores y sistemas eAxle en vehículos eléctricos (xEV).
Mitsubishi Electric tiene previsto exhibir los chips desnudos de MOSFET de SiC de quinta generación en la PCIM Expo & Conference de Núremberg, Alemania, en 2026, así como en otras ferias industriales en Japón, China y otros mercados internacionales. Este producto amplía aún más la cartera de carburo de silicio de la compañía para aplicaciones de electrificación automotriz de próxima generación.
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