es.wedoany.com Noticia: La Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC (JEDEC Solid State Technology Association) ha publicado dos nuevas guías para semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), numeradas JEP203 y JEP204, con el objetivo de estandarizar los procesos de evaluación, certificación y pruebas de fiabilidad de estos dispositivos. Estos documentos, redactados por el Subcomité de Carburo de Silicio JC-70.2 (JC-70.2 Silicon Carbide Subcommittee) de la asociación, ya están disponibles para descarga gratuita en el sitio web oficial de JEDEC.

A medida que los dispositivos de SiC continúan aumentando su penetración en escenarios de electrónica de potencia, como vehículos eléctricos, accionamientos de motores industriales, sistemas de energía renovable e infraestructura eléctrica, los desafíos de fiabilidad que enfrentan se vuelven cada vez más prominentes. Las nuevas guías están diseñadas precisamente para abordar estos puntos críticos.

La JEP203, titulada oficialmente «Guideline for Short Circuit Evaluation in Power Conversion Transistors» (Guía para la evaluación de cortocircuitos en transistores de conversión de potencia), ofrece recomendaciones específicas para las pruebas de capacidad de cortocircuito en MOSFET de potencia. Este documento busca ayudar a los ingenieros a unificar métodos de prueba, optimizar el diseño de circuitos de protección y fortalecer la robustez del sistema en condiciones de fallo. Dado que los dispositivos de SiC evolucionan hacia mayores densidades de potencia y velocidades de conmutación más rápidas, comprender con precisión sus características de cortocircuito se ha convertido en un requisito fundamental para garantizar un funcionamiento seguro y fiable.

La otra publicación, JEP204, titulada «Catalog of Stress Procedures for Silicon Carbide Devices for Power Electronic Conversion» (Catálogo de procedimientos de esfuerzo para dispositivos de carburo de silicio en conversión electrónica de potencia), sirve como referencia integral que abarca pruebas de fiabilidad, tolerancia ambiental y robustez. Proporciona un marco general para evaluar el rendimiento y la fiabilidad a largo plazo de los dispositivos, facilitando que fabricantes, ingenieros de certificación y diseñadores de sistemas adopten métodos de evaluación más uniformes.

Estas dos guías tienen como objetivo promover un mayor grado de consistencia en los métodos de prueba y certificación dentro de la industria, fortaleciendo así la confianza en la implementación de sistemas de potencia de SiC de próxima generación. Los procedimientos de evaluación estandarizados permiten que los resultados de rendimiento dentro del sector sean más comparables y reproducibles, acelerando así la difusión y aplicación de la tecnología.

Los documentos mencionados fueron desarrollados bajo el liderazgo del Comité JC-70 (JC-70 committee), especializado en la estandarización de semiconductores de banda ancha. Este comité, fundado en 2017 con 23 empresas miembros iniciales, se ha expandido hasta incluir más de 70 organizaciones participantes a nivel mundial, abarcando fabricantes de semiconductores, desarrolladores de sistemas, proveedores de equipos de prueba, instituciones de investigación y grupos académicos especializados en tecnologías de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio.

La continua expansión del comité refleja la urgente necesidad de la industria de establecer estándares comunes para la fiabilidad, los métodos de prueba y las características eléctricas de los semiconductores de potencia de banda ancha. El Comité JC-70 tiene previsto celebrar su próxima reunión el 15 de julio de 2026, continuando proporcionando soporte de estandarización para la adopción generalizada de tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia.

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