es.wedoany.com Noticia: Samsung ha presentado su hoja de ruta tecnológica para SSD de próxima generación en el VLSI Symposium 2026, planeando apilar hasta 1000 capas de memoria flash NAND para cuadruplicar la capacidad de almacenamiento de los SSD en comparación con los modelos actuales, allanando el camino para unidades de consumo de hasta 32 TB.
Samsung no planea fabricar un único chip de 1000 capas, sino que utilizará la tecnología Cell-Multi Bonding (CMB) para unir dos pilas NAND independientes de 450 a 500 capas. La compañía afirma que la demanda de SSD de gran capacidad está aumentando rápidamente debido al crecimiento del almacenamiento requerido por la inteligencia artificial, los centros de datos y las cargas empresariales. Samsung está acelerando su hoja de ruta de desarrollo de NAND, con planes de alcanzar 420 capas para 2029, más de 560 capas para 2030 y superar las 1000 capas a principios de la próxima década.
La construcción de chips NAND de cientos de capas enfrenta múltiples desafíos, siendo el mayor la deformación de la oblea que reduce la precisión de fabricación. Samsung ha mejorado la estabilidad de la oblea durante la producción mediante un nuevo diseño de "Upper Chuck" y ha desarrollado técnicas avanzadas de corrección de superposición para reducir los errores de alineación. Estas mejoras buscan hacer más práctica la fabricación de NAND de ultra alta pila, reduciendo los desafíos de producción.
El analista tecnológico Dr. Ian Cutress señala que el diseño de unir dos pilas NAND de 450 capas mediante Cell-Multi Bonding puede aumentar significativamente la capacidad. Por ejemplo, un SSD QLC de 8 TB con tecnología actual podría expandirse a 32 TB utilizando la futura arquitectura de 1000 capas de Samsung.
En la carrera por desarrollar almacenamiento NAND de mayor densidad, SK Hynix ha logrado comercializar la tecnología NAND de 321 capas y está desarrollando NAND de 400 capas utilizando el proceso de Hybrid Bonding. Samsung, por su parte, está explorando la tecnología de Vertical Bonding. El fabricante chino de almacenamiento YMTC ya ha producido chips NAND de 232 y 294 capas, e invierte en nuevas instalaciones para ampliar la capacidad de producción.
La tecnología NAND de 900 a 1000 capas de Samsung aún se encuentra en fase de prototipo, y se espera que los productos comerciales lleguen al mercado alrededor de 2030. Antes de eso, la compañía planea lanzar chips NAND de más de 400 capas en los próximos años, avanzando gradualmente hacia el objetivo a largo plazo de lograr capacidades de almacenamiento muy superiores a las de los modelos actuales.
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