El equipo de científicos alemanes ha logrado un avance importante en el campo de la modulación optoelectrónica de semiconductores bidimensionales. Los investigadores de la Universidad de Bielefeld y el Instituto Leibniz de Materiales Sólidos y Estructurales de Dresde han desarrollado una nueva tecnología de modulación óptica de THz, con resultados publicados en la revista Nature Communications.

El equipo de investigación diseñó innovadoramente una estructura especial de nanoantenas, convirtiendo con éxito pulsos de luz THz en un fuerte campo eléctrico vertical en materiales semiconductores bidimensionales. El profesor de física de la Universidad de Bielefeld, Dmitry Turchinovich, declaró: "Esta tecnología rompe las limitaciones de velocidad de las compuertas electrónicas tradicionales, con tiempos de respuesta en el orden de picosegundos". Los experimentos demuestran que este método puede modular efectivamente las propiedades ópticas y electrónicas de materiales como el disulfuro de molibdeno.

El avance clave de esta investigación radica en lograr una modulación de campo eléctrico fuerte de varios megavoltios por centímetro, manteniendo una buena compatibilidad con procesos de fabricación industrial. El investigador principal, Dr. Tomoki Hiraoka, señaló que los efectos coherentes inducidos por luz THz proporcionan nuevas ideas para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos novedosos. El equipo de Dresde preparó finalmente una estructura de nanoantena 3D-2D de alto rendimiento tras múltiples optimizaciones experimentales.

Esta tecnología tiene potencial para aplicaciones en comunicaciones de ultralta velocidad, computación cuántica y otros campos, abriendo nuevas vías para la I+D de la próxima generación de dispositivos optoelectrónicos. El equipo de investigación planea optimizar aún más la precisión de la modulación y explorar escenarios de aplicación más amplios.