es.wedoany.com Noticia: ROHM (Japón) anunció el día 18 que ha desarrollado un IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de 4.ª generación con tensión soportada de 650 V, adecuado para compresores eléctricos automotrices, calentadores de HV, inversores para equipos industriales, etc. Este producto logra las pérdidas más bajas de la industria en la clase de 650 V para automoción, al tiempo que ofrece una alta capacidad de resistencia a cortocircuitos, cumpliendo con el estándar de fiabilidad automotriz AEC-Q101.
El nuevo producto optimiza la estructura del dispositivo, incluidos los procesos y la estructura periférica, mejorando la densidad de corriente y reduciendo las pérdidas de conducción y conmutación. La tensión de saturación VCE, que caracteriza las bajas pérdidas de conducción, es de 1,55 V.
A una temperatura de unión Tj de 25 °C, el producto garantiza una capacidad de resistencia a cortocircuitos de 7 µs, un rendimiento que normalmente presenta una relación de compromiso con las bajas pérdidas. Esta característica contribuye a mejorar la eficiencia y fiabilidad de las aplicaciones.
La gama de productos incluye 12 modelos en encapsulado TO-247N (RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR) y 10 modelos en chip desnudo (SG83xxWN). También se está avanzando en el desarrollo de 12 modelos en encapsulado TO-247-4L (RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR).
Los nuevos productos comenzaron la producción en masa en mayo con un volumen de 1 millón de unidades al mes. Los productos en encapsulado TO-247N también están disponibles para venta en línea. Se han preparado varios modelos de diseño y materiales necesarios para el diseño de circuitos, que se pueden descargar desde el sitio web oficial de ROHM.
ROHM continuará expandiendo más modelos en el mismo encapsulado y planea desarrollar productos IGBT de montaje superficial de tamaño pequeño en encapsulado TO-263L y encapsulado de disipación superior (TSC=Top-Side Cooling), dedicándose a ampliar su gama de productos IGBT de alto rendimiento.
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