El equipo de investigación de la Universidad de Minnesota Twin Cities publicó sus últimos resultados en la revista Advanced Materials, desarrollando un nuevo material espintrónico basado en Ni₄W (aleación de níquel-tungsteno) que puede mejorar significativamente la eficiencia operativa de la memoria de computadoras y reducir el consumo de energía. Esta tecnología patentada proporciona nuevas ideas para el desarrollo de dispositivos de almacenamiento de próxima generación.

El equipo de investigación descubrió que el material Ni₄W posee una estructura de baja simetría única, capaz de generar un torque de espín-órbita (SOT) multiorientado eficiente. El autor principal del artículo, el profesor Jian-Ping Wang, indicó: "Ni₄W logra el cambio de estado magnético sin campo magnético, lo que reducirá drásticamente el consumo de energía para la escritura de datos." Los datos experimentales muestran que este material, ya sea utilizado por separado o combinado con una capa de tungsteno, exhibe excelentes características de eficiencia de campo espín.

Las tres ventajas principales de esta tecnología incluyen:

• Mejora de la eficiencia energética: Reduce el consumo de energía operativo en comparación con materiales tradicionales.
• Facilidad de fabricación: Utiliza metales comunes y se prepara mediante procesos estándar.
• Amplia aplicabilidad: Adecuada para dispositivos como smartphones y centros de datos.

El primer autor conjunto, Yi Fei Yang, señaló: "El flujo de espín multiorientado generado por Ni₄W crea condiciones para el desarrollo de dispositivos espintrónicos de alta velocidad y bajo consumo." Actualmente, el equipo de investigación se dedica a miniaturizar este material para adaptarlo a componentes electrónicos de menor tamaño.

Esta investigación fue completada en colaboración con múltiples departamentos de la Universidad de Minnesota, involucrando múltiples etapas como caracterización de materiales, cálculos teóricos y pruebas de dispositivos. El equipo planea optimizar aún más las propiedades del material para promover su aplicación en productos de memoria reales.