es.wedoany.com Noticia: Recientemente, el Instituto 55 de CETC ha entregado más de 5 millones de unidades de su chip de RF de GaN sobre silicio desarrollado de forma independiente para terminales inteligentes. Este producto se utiliza en la cadena de RF de terminales inteligentes, lo que marca la entrada del chip de RF de GaN sobre silicio en una fase de comercialización a gran escala en el lado del terminal. También proporciona un soporte de chips de amplificador de potencia de RF de menor costo y mayor rendimiento para direcciones como redes de información integradas espacio-aire-tierra, comunicaciones 6G, aeroespacio comercial, economía de baja altitud y comunicaciones de emergencia.
La clave de este logro no es solo que el "volumen de entrega superó los 5 millones de unidades", sino que la ruta tecnológica del GaN sobre silicio ha comenzado a pasar de escenarios especializados de alta gama a aplicaciones de terminales inteligentes a mayor escala. El chip amplificador de potencia de RF a menudo se considera el "corazón de la señal" del sistema de comunicación, ya que determina la potencia, eficiencia, linealidad y estabilidad de la señal transmitida por el terminal, afectando directamente la distancia de cobertura de comunicación, la calidad del enlace, la velocidad de transmisión y la duración de la batería del dispositivo. Los dispositivos tradicionales de GaN ofrecen alta densidad de potencia, alta eficiencia y características de alta frecuencia, pero el costo, la madurez del proceso, el rendimiento y la capacidad de fabricación a gran escala han limitado durante mucho tiempo su aplicación en el mercado de terminales a mayor escala. El GaN sobre silicio, al preparar un sistema de materiales de GaN sobre un sustrato de silicio, combina las ventajas de alto rendimiento del GaN con el costo y la base de fabricación del proceso de silicio, lo que lo hace más adecuado para respaldar la transición de los chips de RF de terminales de aplicaciones de bajo volumen a entregas de millones y decenas de millones. El Instituto 55 de CETC y su filial, Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd., han llevado a cabo una investigación de cadena completa que abarca la preparación epitaxial de materiales, el diseño independiente de chips, la verificación de procesos completos y las pruebas de confiabilidad del producto, formando una serie de productos que cubren categorías como subsistemas de comunicación de carga útil satelital, terminales de comunicación de plataformas de baja altitud y módulos de transmisión de datos, estaciones terrenas de enlace y chips de RF para terminales inteligentes, sentando las bases para que la tecnología de GaN sobre silicio pase de avances puntuales a aplicaciones de ingeniería.
Los requisitos para los chips de RF en las redes de información integradas espacio-aire-tierra son más complejos: el terminal debe mantener una conexión estable entre redes celulares terrestres, enlaces de comunicación satelital, plataformas de baja altitud y entornos de comunicación de emergencia. El chip amplificador de potencia no solo debe tener alta eficiencia, sino también considerar banda ancha, alta linealidad y alta confiabilidad.
Desde la perspectiva de la aplicación industrial, los chips PA de bajo costo y alto rendimiento se están convirtiendo en componentes clave para la actualización de futuros terminales de comunicación. El desarrollo de 6G, el aeroespacio comercial, la economía de baja altitud, los sistemas no tripulados, las comunicaciones de emergencia y el acceso de banda ancha en áreas remotas requieren que más terminales tengan capacidades de comunicación entre escenarios. Si el costo del chip de RF es demasiado alto, el consumo de energía es demasiado grande o la confiabilidad es insuficiente, la red integrada espacio-aire-tierra será difícil de implementar a gran escala en terminales comunes, plataformas de baja altitud, dispositivos portátiles y terminales especializados de la industria. La comercialización a gran escala de los chips de RF de GaN sobre silicio significa que la capacidad de alta potencia, alta eficiencia, banda ultra ancha y alta confiabilidad tiene la oportunidad de ingresar a sistemas de dispositivos más amplios a un costo más controlable. Para los fabricantes de terminales, esto ayuda a mejorar la estabilidad del enlace de comunicación y la capacidad de adaptación a múltiples escenarios; para los operadores y las empresas de Internet satelital, la mejora de la capacidad de RF en el lado del terminal puede mejorar la calidad de la conexión en los límites de cobertura y entornos de señal débil; para la economía de baja altitud y los escenarios de comunicación de emergencia, el chip PA de alto rendimiento está directamente relacionado con la capacidad de transmisión confiable de drones, plataformas de baja altitud, terminales de comando móvil y equipos de comunicación en el sitio.
El valor posterior de este tipo de chip dependerá de la capacidad de producción continua, la velocidad de adaptación de los clientes terminales, la cobertura de productos en diferentes bandas de frecuencia y los resultados de las pruebas de confiabilidad. La entrega de más de 5 millones de unidades ya ha demostrado que los chips de RF de GaN sobre silicio tienen la base para ingresar al mercado de terminales a gran escala, pero pasar de un avance de producto único a un ecosistema industrial requiere una colaboración más estrecha con fabricantes de módulos, fabricantes de terminales completos, empresas de equipos de comunicación e integradores de sistemas. Con la aceleración de la construcción de redes de información integradas espacio-aire-tierra, los chips de RF pasarán de ser componentes básicos en la cadena de la industria de las comunicaciones a convertirse en una capacidad subyacente clave que determina la cobertura global y la experiencia de interconexión de alta velocidad en el futuro.
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